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TB8521高性能2.4A同步整流芯片

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发表于 2019-6-11 17:21:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施,同步整流取代肖特基已成为大势所趋,银联宝科技TB8521采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的,从而提高转换效率,可以提高整个AC-DC的整体效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压,降低电源本身发热。
TB8521适用于输出宽电压的电源,具有如下特点:
1.易搭配原边主控芯片
2.EMC性能卓越
3.高集成度、只需极少的外围器件
4.全面的智能保护功能
5.SOP-8封装
同步整流芯片TB8521是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效。该芯片支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构,同时支持系统断续工作模式(DCM)和准谐振工作模式(QR)。
TB8521内置VDD高压供电模块,无需VDD辅助绕阻供电,降低了系统成本。内部集成有VDD欠压保护功能和VDD电压钳。内置45V功率MOSFET。
TB8521.png
开关电源同步整流芯片SR提高功率密度,实现电源小型化,并降低系统成本。以5V2.4A电源为例,TO220肖特基+散热片(25mm*17mm)可被SOP8同步整流(10mm*10mm)取代,功率密度提高4倍以上,因TB8521外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片,被银联宝电子广泛应用于5V2.4A六级能效适配器充电器上。
同步整流技术就是大大减少了开关电源输出端的整流损耗,从而提高转换效率,降低电源本身发热。所以想要了解同步整流的相关芯片,那就联系银联宝科技。

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