降低电源转换成本的碳化硅肖特基二极管(英飞凌)

2009年02月19日 13:02    admin
关键词: 电源 , 碳化硅 , 肖特基二极管 , 英飞凌
 第三代thinQ! SiC肖特基二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。该二极管系列提供多种封装形式,不仅包括TO-220封装(真正的双管脚版本)产品,还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。
      
SiC肖特基二极管的主要应用领域是开关模式电源(SMPS)的有源功率因数校正(CCM PFC)和太阳能逆变器与电机驱动器等其他AC/DC和DC/DC电源转换应用。
      
相对于第二代产品,全新的SiC肖特基二极管的器件电容降低约40%,因此减少了开关损耗。例如,工作频率为250 kHz的1kW功率因数校正级在20%负载条件下整体能效将提高0.4%。更高的开关频率允许使用成本更低、更小的无源组件(如电感电容器),实现更高功率密度设计。更低的功耗也降低了对散热器和风扇的尺寸和数量要求,从而降低系统成本,提高可靠性。

供货、封装

第三代 thinQ! SiC肖特基二极管提供采用TO-220和DPAK封装的600V(3A、4A、 5A、6A、8A、9A、10A和12 A)产品和采用 TO-220封装的1200V产品(2A、5A、8A、10A和 15 A)。产品样品于2009年1月开始提供,预计在2009年早春开始批量生产。
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