高速、低导通、高耐压功率MOSFET F系列（罗姆）
发布时间：2009-2-5 11:23
发布者：admin
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随着液晶电视机等需要节能化的装置市场逐步扩大，对应用于这些装置的电源外围的晶体管等半导体器件也提出了高效率化和削减元器件数量的要求。现在，作为高效率产品的500 to 600V级高耐压MOSFET，采用传统平面结构的已经不多，而开关速度快、导通电阻低的超结结构成了主流。但是，超结结构在结构上存在一个需要破解的课题，那就是内部二极管的反向恢复时间 (以下称为: trr) 长。因此，在应用于有再生电流流过MOSFET的内部二极管的桥接电路等情况时，为了提高高频随动性而需要在漏-源极间并联接入快速恢复二极管(以下称为: FRD)。 新开发的F系列为使trr达到高速化，成功地在超结MOSFET的元件内部形成局部的陷阱能级，从而使得trr从160ns缩短为70ns，也就是比 普通的超结结构产品缩短约60%。无需接入FRD就可以应用于桥接电路，这对削减元器件数量、减小基片面积和达到高频化，使得变压器等小型化，从而实现 装置小型化、低成本化有很大的贡献。 高耐压功率MOSFET F系列预定从2009年2月开始供应样品，并于2009年4月开始以月产100万个的规模批量生产。按计划，生产过程的前一段 工序安排在ROHM/阿波罗器件株式会社(福冈县)、 ROHM筑波株式会社(茨城县) 进行；后一段工序则将在ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. (泰国) 完成。 |
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