低导通电阻的小型20V P沟道MOSFET(飞兆)

2009年08月20日 11:08    admin
关键词: MOSFET , 电阻
飞兆半导体推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ,该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench 工艺 技术,为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低RDS(ON) 值(-4.5V下为75mΩ) ,能够最大限度地减小传导损耗。通过降低损耗,FDZ371PZ能够提高便携设计的效率,并延长电池寿命。FDZ371PZ还可提供4.4kV的稳健ESD保护功能,以保护器件免受ESD事件影响。

FDZ371PZ器件的WL-CSP封装使用4 x 250µm无铅焊球,具有出色的电气和热阻数值,安装时的封装高度达到0.4mm,达业界领先水平。
FDZ371PZ是飞兆半导体全面的先进MOSFET产品系列的成员,能够满足业界对于紧凑的薄型MOSFET器件的需求,并提供高效率和出色的开关性能。



价格(订购1,000个,每个): 0.30美元
供货: 现提供样品
交货期:8至12星期

产品的 PDF 格式数据表可从以下网址获取:http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDZ371PZ.pdf

查询更多信息,请联络飞兆半导体香港办事处,电话:852-2722-8338;深圳办事处,电话:0755-8246-3088;上海办事处,电话:021-3250-7688;北京办事处,电话:010-6408-8088 或访问公司网站:www.fairchildsemi.com
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