更高效率和功率密度的同步降压双MOSFET器件(飞兆)

2009年07月08日 11:07    admin
关键词: MOSFET , 高效率 , 功率密度 , 降压 , 器件
飞兆半导体公司为设计人员带来业界领先的双MOSFET解决方案FDMC8200,可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 DC-DC 设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mm x 3mm MLP模块中集成了经优化的控制 (高侧) 和同步 (低侧) 30V N沟道MOSFET,二者均使用的专用先进高性能PowerTrench 7 MOSFET技术,提供出色的低RDS(ON)、总体栅极电荷(QG)和米勒电荷 (QGD),这些性能最大限度地减少传导和开关损耗,带来更高效率。FDMC8200高侧RDS(ON) 通常为24mOhm,低侧则为9.5mOhm,可提供9A以上电流供主流计算应用,而经优化的引脚输出和占位面积,为布局和路由带来便利,并简化设计。

FDMC8200通过先进的封装技术和专有PowerTrench 7工艺,节省空间并提升热性能,解决DC-DC应用的主要设计难题。采用紧凑型高热效3mm x 3mm Power33 MLP封装和PowerTrench 7技术,其本身能够提供高功率密度、高功率效率和出色的热性能。

这款双MOSFET器件是飞兆半导体广泛的先进MOSFET技术产品系列的一部分,全系列均拥有广阔的击穿电压范围和现代化的封装技术,实现高效的功率管理和低热阻的特点。同系列其它产品包括集成了FET模块的FDMS9600S 和FDMS9620S器件,同样能够显着减少电路板空间,并提升同步降压设计以达到更高的转换效率。

单价(订购1000个):0.50美元
供货:现提供样品
交货期:现已可付运



要了解飞兆半导体MOSFET产品系列的信息,请访问网页:
http://www.fairchildsemi.com/products/mosfets/index.html

产品的 PDF 格式数据表可从以下网址获取:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMC8200.pdf

查询更多信息,请联络飞兆半导体香港办事处,电话:852-2722-8338;深圳办事处,电话:0755-8246-3088;上海办事处,电话:021-3250-7688;北京办事处,电话:010-6408-8088 或访问公司网站:www.fairchildsemi.com
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