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大陆三大势力点燃DRAM大战,长江存储心中还有诗和远方 [复制链接]

stdtg123 (离线)
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发表于 2016-11-30 17:32:10 |显示全部楼层

尽管大陆布局自制3D NAND Flash雏形渐现,长江存储将与已并购飞索(Spansion)的赛普拉斯Cypress)合作,切入32层和64层3D NAND技术,由于门槛较高,长江存储仍有机会急起直追国际存储器大厂,然值得注意的是,全球存储器产业将率先上演大陆力争DRAM主导权戏码。

目前大陆DRAM势力处于战国时代,至少有三股DRAM势力全面竞逐版图,除了长江存储之外,还有联电旗下福建晋华,其主要操盘手为前瑞晶总经理、现任联电资深副总陈正坤,第三股DRAM势力则是合肥市政府结合GigaDevice及王宁国人马成立的合肥长芯。

长江存储与旗下武汉新芯原本是扮演大陆存储器中心角色,将统筹3D NAND和DRAM两大存储器技术发展,然大陆政府传出针对长江存储DRAM布局进行规范,若是自行研发DRAM技术必须先量产3D NAND,但若对外购买技术则无此限制,使得长江存储积极与国际大厂合作,以加速DRAM量产,并获得专利保护伞。

长江存储除了积极与美光洽谈DRAM技术专利授权,业界亦传出正着手评估自建或并购现有晶圆厂的可能性,甚至有意跟随台积电脚步评估在南京设立12寸晶圆厂,长江存储执行长杨士宁则表示,将以并购现有晶圆厂为第一考量。

近期武汉新芯12寸新厂已经动起来,单月产能规划30万片,涵盖NAND Flash和DRAM芯片,然业界预期长江存储两大产品线的生产基地,最终仍会分开进行。至于大陆另外两个DRAM阵营亦加快脚步展开研发自制,希望抢在长江存储之前先量产DRAM技术,以争取大陆DRAM产业宝座。

联电与福建晋江地方政府合作成立的福建晋华新厂已经动工,预计2018年进入量产,业界传出大陆注资近新台币100亿元,让联电在南科厂同时进行25、30nm技术研发,预计2017年底完成技术开发,福建晋华则配合在2018年下半装机,届时联电南科厂DRAM技术将快速转到福建晋华量产。

尽管福建晋华至少要投入25nm以下制程技术,才有机会获得大陆官方青睐,但联电采取较谨慎作法,避免一下子投入25nm技术开发面临失败风险,遂同时研发30nm作为备案。
来源:中芯谷
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