Kilopass推出垂直分层晶闸管（VLT）技术，改变DRAM产业格局
发布时间：2016-10-14 09:34
发布者：eechina
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显著降低成本且与DDR SDRAM完全兼容；使用标准CMOS工艺制造且无需昂贵的电容结构 Kilopass Technology, Inc.推出其革命性的垂直分层晶闸管（Vertical Layered Thyristor, VLT）技术，进而颠覆全球DRAM市场。VLT存储单元在2015年已通过验证，目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。Kilopass一直致力于推广这项技术，并正与DRAM制造商进行许可协商。 “Kilopass以一次性可编程（OTP）存储器技术的领导者而闻名，我很高兴我们能够为DRAM市场带来新的革新，”Kilopass首席执行官Charlie Cheng说道。“我们的VLT技术是一项真正具有颠覆性的技术，运用它我们的被授权商能够迅速高效地为市场提供与JEDEC标准完全兼容的DRAM产品，这些产品在功耗和成本上将具有显著优势，同时也免去了现有DRAM制造流程中构建电容的困扰。” VLT概览 晶闸管是一种结构复杂的电子器件，在电学上等效于一对交叉耦合的双极型晶体管。由于锁存的形成，这种结构非常适合存储器；与当前基于电容的DRAM相比，晶闸管内存不需要刷新。晶闸管于20世纪50年代被发明，之前人们曾屡次尝试将其应用于SRAM市场，但都未能成功。 Kilopass的VLT通过垂直方式实现晶闸管架构，从而使存储单元更加紧凑。紧凑的结构加上所需的物理器件，构造出制造工艺简单的交叉点内存，这将带来一项与DDR标准兼容，并且比当前顶尖的20纳米DRAM制造成本低45%的新技术。 此外，因为VLT不需要复杂且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM将待机功耗降低了10倍，可降低到50fA/bit以下，且仍将性能提高15%。最为关键的是，VLT避开了传统DRAM制造中最大的挑战，即沟电容的制造，从而规避了相关的专利冲突，这一点具有很重要的战略意义。 VLT存储单元的运行和器件测试已于2015年完成，测试结果与器件仿真系统TCAD具有优异的关联性。一块完整的内存测试芯片已于5月份成功流片，早期芯片测试正在进行当中。 行业展望 巨大的全球DDR（SDRAM）存储器市场在总产值为3500亿美元的全球半导体市场中占据了超过500亿美元的份额，使其成为政府为促进国内半导体产业发展而推出的推动措施中，最重要的产品类别之一。就中国而言，国务院于2014年6月颁布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，要实现其中集成电路行业产值从2015年3500亿人民币以年均20%的增速达到2020年约8700亿人民币这一目标，DRAM产业的增长显得至关重要。 然而，DRAM市场已经十分成熟，且由三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）和美光（Micron）三家企业共同占有超过90%的市场份额。现有DRAM的最关键技术是电容存储单元，它不仅带来了特有的制造挑战，还被大量专利所保护。为了进入DRAM市场，后发的中国厂商必须利用创新的替代方案，以推动竞争升级，争取实现差异化。VLT技术则代表了这样的一种可能性。 供货 现在已可以向数量有限的特许受让人提供VLT DRAM技术，用于20nm到31nm工艺技术节点。Kilopass已使用其突破性的TCAD模拟器，在所有的半导体制造工艺细节上对这两个节点进行了详尽的模拟，新一代10nm技术的验证有望在2017年完成。 |
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