iST推二代MEMS分析，独家研发「动态检测异常」
发布时间：2014-11-11 10:31
发布者：eechina
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随MEMS组件已成为智能产品的主要核心，iST集团-台湾总部宜特科技 MEMS微机电系统检测技术再突破。宜特继去年成功建构出MEMS G-Sensor的标准失效分析流程，协助开发MEMS的客户完成检测，今年宜特更利用独特动态手法，独家研发出第二代MEMS异常点检测，此技术手法不仅领先业界两个世代，更实际运用在MEMS组件的设计/制造公司，使得宜特 MEMS委案量成倍数成长。 宜特观察发现，许多MEMS开发公司，在产品试产阶段，将会做信赖性验证，确保产品质量。然而，在信赖性验证过程中，易造成沾黏(Stiction)、讯号移位(Off-set)、结构毁损(Structure damage)等失效状况。为解决失效状况，许多MEMS厂商，在藉由制作样品找异常点时，因不熟悉分析手法，又再一次造成组件污染，导致更难厘清是产品本身问题，还是样品制备过程出错。 此外，因组件为悬浮结构，以外力移除时也易产生毁损。双方影响下，容易造成组件污染和应力破坏，不但没有找出真因，反而制造更多失效盲点。 宜特故障分析工程处处长 许如宏表示，宜特无应力/无污染的标准分析技术，不仅协助台湾超过九成的MEMS客户在设计时，厘清失效因素，更在设计业者投片取得MEMS晶圆后，协助检测晶圆公司无法载出介层的异常现象。 许如宏进一步指出，今年，宜特再接再厉，开发出领先业界两个世代以上的「二代MEMS无应力全质量块移除分析技术」(参见下图)，搭配独特动态/结构手法，更可精确的在MEMS非破坏的状态下，取得异常模态信息，并经由MEMS样品制备后影像交叉比对，找出失效真因，并对症下药，快速改善异常现象。 
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