飞兆半导体 100V BOOSTPAK 解决方案提高了可靠性，降低了 LED 应用中的系统成本
发布时间：2013-6-5 18:38
发布者：eechina
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集成解决方案将 MOSFET 和二极管置于一个封装内，简化了电路板装配并节省了空间 飞兆半导体公司通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极管选择过程，将 MOSFET 和二极管集成在一个封装内，代替 LED 电视 / 显示器背光、LED 照明和 DC-DC 转换器应用中目前使用的分立式解决方案。 通过将 MOSFET 和二极管集成到一个独立封装内，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD设备节省了电路板空间，简化了装配，降低了材料清单成本并改进了应用的可靠性。 
该元件的N沟道MOSFET采用飞兆半导体 PowerTrench工艺生产，这一先进工艺专用于最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 NP二极管为超快速整流器，带低正向导通压降，具有出色的开关性能。 与肖特基二极管相比，其泄漏电流更低，改进了高温应用中的系统可靠性。 主要功能： FDD1600N10ALZD: • RDS(ON) = 124 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A • RDS(ON) = 175 mΩ（典型值）@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A • 低栅极电荷 = 2.78 nC（典型值） • 低反向电容 (Crss) = 2.04 pF（典型值） FDD850N10LD: • RDS(ON) = 61 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 12 A • RDS(ON) = 64 mΩ（典型值）@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A • 低栅极电荷 = 22.2 nC（典型值） • 低反向电容 (Crss) = 42 pF（典型值） 都有： • 快速开关 • 100%经过雪崩测试 • 可提高dv/dt处理能力 • 符合 RoHS 标准 报价:（订购 1,000 个） FDD1600N10ALZD的价格为0.49美元。 FDD850N10LD的价格为0.57美元 可供貨期: 按请求提供样品。 交货期: 收到订单后 8-12 周内 若要取得产品PDF格式的数据页，请访问网页： http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDD1600N10ALZD.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDD850N10LD.pdf 查询更多信息，请联络飞兆半导体香港办事处，电话：852-2722-8338；深圳办事处，电话：0755-8246-3088；上海办事处，电话：021-3250-7688；北京办事处，电话：010-6408-8088 或访问公司网站：http://www.fairchildsemi.com/cn/。 |
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