IBM展示最新半导体制程技术进展
发布时间：2013-2-22 22:12
发布者：Liming
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在日前举行的「通用平台技术论坛」(Common Platform Technology Forum)上，IBM公司与其技术联盟夥伴三星电子(Samsung Electronics)和Global Foundries共同探讨超越 FinFET 技术的半导体发展前景，看好可挠曲晶圆、CMOS持续微缩、双重曝光微影以及碳奈米管和矽光等下一代技术的最新进展。 IBM的科学家强调采用浸润式微影技术的双重曝光技巧。IBM公司并展示全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)的进展以及矽光子学计划、奈米线以及半导体发展蓝图上的其它最新进展。 「我们从45nm节点后就一直停滞不前，但透过 EUV 技术能协助我们回到向先进制程迈进的路径，」IBM半导体研究小组首席技术专家Gary Patton说，「 EUV 反映出微影技术发展史上最大的变异，因为 EUV 光源极具挑战性──它可能被反射透镜与光罩等任何材料所吸收，」他补充说。 尽管如此，「我认为 CMOS 将持续微缩，但这将需要采用像碳奈米管和矽光子学等具突破性的技术，」他说。 
双重曝光 
Patton指出，从20nm制程开始，晶片制造商必须采用极其先进复杂的双重曝光与浸润式微影。但IBM已经找到几种方法能够解决这一复杂性──透过标准的单元设计流程或为更多用户提供基于简单演算法的客制流程。 
微缩解决方案 
IBM的Patton描述能简化双重曝光技术的几种方案，甚至可用于避免(或减少)在10nm时需要三、四次的曝光过程。 
奈米线与矽光技术 
Pattern强调，在FinFET元件后的下一重大发展就是碳奈米管。碳奈米管提供了更高10倍的性能，不过它包含了太多金属杂质，目前仍无法实现商用化，这也是IBM的研究人员现正致力于解决的问题。 「下一步是矽光技术，调变器控制具有不同频率的多个奈米光子波导──关键就在如何整合于CMOS中，」他说。「最终则是3D封装与光子学，」以实现可支援TB/s频宽的设计。 
行动与云端运算 
行动与云端运算技术将是这一市场成长的驱动力。 主导HKMG制程？ 
尽管对于闸极优先(gate-first)还是闸极后制(gate-last)的制程争论已存在多年，IBM、GlobalFoundries和三星声称已在32/28nm HKMG制程占据主导地位。 |
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