适用于工业电机的650V IGBT, 1.5V饱和电压带来更高效率
发布时间：2015-8-6 14:40
发布者：eechina
在移动通信、汽车电子等领域占据全球最高市场份额的顶尖半导体芯片供应商瑞萨电子（Renesas）日前推出了其第七代具有业界领先性能的650V，150A IGBT产品RJP65S07DWA。受益于第七代技术增强型的薄化晶圆工艺，RJP65S07DWA在传导、开关损耗以及耐受能力之间达到了低损耗平衡，以承受短路情况的发生。因此该产品十分适合高电压和大电流的应用，如太阳能发电机和工业电机里的功率调节器。此外，该产品可根据用户需求进行个性化定制。
图：RJP6系列IGBT 1.5V的饱和电压带来更高的效率 相较于上一代产品1.8V的饱和电压，Renesas基于独有的超薄晶圆技术使RJP65S07DWA的饱和电压降至史无前例的1.5V，降幅约17%。饱和电压反映了IGBT导通时的能量损耗，进一步降低的饱和电压将器件效率提升至新的高度。 10微秒的高短路耐受力提供无与伦比的可靠性 对于高电压大电流的设备，器件保护往往是重重之中，Renesas第七代IGBT系列产品RJP65S07DW具有10 μs的额定短路耐受力, 这意味着用于太阳能逆变器的功率调节器等系统会具有更出色的稳定性和强劲的性能。 高速开关 通过优化器件的表面结构，Renesas将器件的反向传输电容降低了大约10%。这有助于实现更快的开关频率，使的更高效的电源转换器电路成为可能。 RJP65S07DWA的关键技术参数如下： • 额定结温(Tj): +175°C • 集电极-发射极额定电压(VCES): 650 V • 额定的栅极发射器电压(VGES): ±30 V • 集电极-发射极饱合电压 (VCE(sat)): 1.5 V (典型值) • 集电极-发射极阈值电压 (VGE(OFF)): 5.0 V至6.8 V • 集电极-发射极额定电流: 150 A (Tc = 100°C) 300 A (Tc = 25°C) 1.5V的饱和电压，10微秒的高短路耐受力以及高速开关让瑞萨的这款IGBT产品可以更好的帮助研发工程师开发他们的产品，特别的定制服务还能根据客户的需求提供最适合的产品。如果你想获取更多的产品信息或申请样片请联系世强。 更多信息请访问：世强(SEKORM)专区 |
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