第四代器件，提高额定功率和功率密度，降低导通和开关损耗，从而提升能效
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算 ...
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅M ...
来源：TechWeb
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块——“MG250YD2YMS3”。 新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流 ...
～非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机，有助于设备进一步降低功耗和节省空间～
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发出 ...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 m ...
小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX ...
7月25日，瑞能微恩半导体暨瑞能金山模块厂开业典礼在上海湾区高新区隆重举行，标志着瑞能全球首座模块工厂正式投入运营，将主要生产应用于消费、通讯、新能源以及汽车相关的各类型功率模块产品 ...
大联大旗下友尚推出基于意法半导体（ST）ViperGaN50器件的GaN电源转换器方案。
图示1-大联大友尚基于ST产品的GaN电源转换器方案的实体图
近年来，以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体 ...
～通过替换现有的Si MOSFET，可将器件体积减少约99%，功率损耗减少约55%～
ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN ...
60W 额定 PCB 前端模块（也称为输入总线调节器）可符合最严格的噪声、浪涌、保持和反极性保护军事规范
GAIA Converter推出了全新的全集成DC/DC前端模块，大大简化了军用电源转换器架构的设计 ...
AH1117是一款高-效-稳-压输出芯片，输入电压范围为1.6V-16V的情况下，提供1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V和5.0V的稳定输出电压，并且输出电流可达1A。芯片具有高-精-度稳压、低功耗、过流保护 ...
2023年07月18日 16:45
简介：
[*]是一款针对低压 LED 灯的专用芯片，具有完整的充电功能和完善的电池保护功能，具有按键控制开关
[*]具有 LED 灯短路保护功能。QK1209还具有省电模式，静态待机电流小于 10uA
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2023年07月18日 11:41
