宽禁带半导体衬底、外延、工艺制造是当前半导体技术研究的重要方向，特别是在第三代宽禁带半导体材料如SiC和GaN的应用领域。这些材料因其优异的光电特性、高热导率和化学稳定性等优点，在发光二极管（LEDs）、短波长激光器（LDs）、紫外探测器以及微波器件等领域具有广泛的应用前景。

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