当然两者都可以加上相应的端接电阻来组成一个更为完善的拓扑,从外形来看,Fly-by拓扑是从头到尾进行串联的组合,T拓扑是以控制器到每个颗粒时间大致相等为前提的组合。关于这两种拓扑间的端接电阻如何选择及相关的原理,可以观看高速先生下面这个很详细的端接视频哈。
https://www.bilibili.com/video/BV1g54y1v7Ce那么本案例来了,因为项目需要大批量的生产,因此客户想实现尽量省成本的DDR4模块设计,省成本的意思是对于DDR4模块来说,客户提出了能不能把地址信号的端接电阻省掉,由于省掉端接电阻之后,那么同时也可以节省一个VTT的
电源转换
芯片,也就是我们经常说的1.2V转0.6V给VTT端接电阻供电的电源。很显然这是一个非常规的设计,尤其对于2400Mbps的DDR4而言。高速先生其实之前也很少遇到这样的客户需求,在这么高速的DDR4模块中,而且还是4个颗粒的情况下,高速先生也是慢慢去尝试不同的拓扑带来的效果。
当然一开始高速先生还是希望在比较传统的Fly-by拓扑中实现,就是以下的拓扑了。

但是在这个传统的单面放置4个颗粒的Fly-by拓扑中,高速先生并没有得到想要的答案,它的波形说明了在Fly-by拓扑中基本上不太可能做到。

那么是不是就不能实现了呢?从上面Fly-by拓扑不加端接电阻的眼图结果来看,差的可不是一丁半点,Fly-by拓扑走不通,高速先生因此(也只能)把眼光转向T拓扑,经过详细的前期评估(此处忽略N个字哈),高速先生狠下心把拓扑定成如下的样子:

没错,就是上面的这种T拓扑,而且是正反贴的T拓扑,从空间利用来看它会更有优势,你可以认为它只需要上面单面贴的Fly-by拓扑的一半位置就可以啦。那么它的信号质量到底能不能比Fly-by拓扑好呢?

之所以要打这个广告,就是想让大家先去看看高速先生队长的端接视频,看看能不能从中得到一些灵感哈。好了,那我们精心设计的T拓扑的信号质量到底能不能比Fly-by拓扑好呢?我们给出了它的验证结果,让我们惊讶的是(在我们的意料之内),居然还是不错的。

这让高速先生看到了4个DDR颗粒也可以不用端接电阻的可能性,因此高速先生在T拓扑的结构中再进行仔细的优化,包括阻抗优化,长度优化,叠层优化等等一系列的操作之后,大胆的完成了该设计并进行投板验证,客户调试后反馈过来的结果也让大家松了一口气。

高速先生到最后有必要再多说两句哈,无论如何,去掉端接电阻的DDR设计我们都认为是非常规的设计,最好不要只通过单纯的设计进行保证,如果大家真的有这样的想法和需求的话,最好的方式就是…
