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BL8203是针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设 ...
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BL8203是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达250V 电压下工作。
BL8203内置VCC和VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。
BL8203输入脚兼容3.3-15.0V输入逻辑， 集成防穿通死区时间为200ns，驱动能力为+1.0A/-1.5A。
BL8203采用SOP8封装。
BL8203内置VCC和VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。
BL8203输入脚兼容3.3-15.0V输入逻辑， 集成防穿通死区时间为200ns，驱动能力为+1.0A/-1.5A。
BL8203采用SOP8封装。
特点
- 悬浮绝对电压250V
- 电源电压工作范围:10.0-20.0V
- 兼容3.3/5/15V输入逻辑
- 驱动电流:+1.0A/-1.5A(typ.)
- 死区时间: 200ns (typ.)
- 集成VCC和VBS欠压保护
- SOP8 封装
- https://www.belling.com.cn/media/file_object/bel_product/BL8203/datasheet/BL8203_V1.0.pdf
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