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三星正在改善1Gb MRAM寿命问题
2020-3-25 14:45
据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器(eFlash)的嵌入式磁阻随机访问内存(eMRAM),容量为1Gb,测试芯片的优良率已达90%。 随着5G物联网时代的来临,存储器领域发展快速,而在这一领域,韩系厂商拥有着比较明显的优势。 MRAM 芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内 ...
个人分类: 非易失性MRAM|797 次阅读|0 个评论
到2029年MRAM收入将增长170倍
2020-1-16 16:14
一份新市场报告预计,从2018年到2029年,独立 MRAM 和STT-MRAM的收入将增长170倍,达到近40亿美元的收入。下一代内存技术的增长将主要由取代效率较低的内存技术(例如NOR闪存和SRAM)推动。 MRAM容量出货量预测(2017-2029,Coughlin)分析人士预计,包括DRAM,3DXpoint和NAND在内的许多存储技术将在未来 ...
个人分类: 非易失性MRAM|841 次阅读|0 个评论
基于意法半导体MCU STM32的底层配置
2020-1-15 15:00
本文通过介绍 意法半导体MCU STM32主要的底层配置,通过关键步骤的程序源代码的介绍,阐述实现数据传输的细节以及注意事项。该方法对其他项目或芯片有一定的实现价值和参考价值,且简单可靠,具有普遍性和通用性。 1、STM32底层配置 为了实现STM32单片机与SIM900A模块之间的数据命令的传输,本文以串口为例 ...
个人分类: MCU|920 次阅读|0 个评论
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