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- 三星正在改善1Gb MRAM寿命问题
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2020-3-25 14:45
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据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器（eFlash）的嵌入式磁阻随机访问内存（eMRAM），容量为1Gb，测试芯片的优良率已达90%。 随着5G物联网时代的来临，存储器领域发展快速，而在这一领域，韩系厂商拥有着比较明显的优势。 MRAM 芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内 ...
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个人分类: 非易失性MRAM|773 次阅读|0 个评论
- 到2029年MRAM收入将增长170倍
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2020-1-16 16:14
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一份新市场报告预计，从2018年到2029年，独立 MRAM 和STT-MRAM的收入将增长170倍，达到近40亿美元的收入。下一代内存技术的增长将主要由取代效率较低的内存技术（例如NOR闪存和SRAM）推动。 MRAM容量出货量预测（2017-2029，Coughlin）分析人士预计，包括DRAM，3DXpoint和NAND在内的许多存储技术将在未来 ...
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个人分类: 非易失性MRAM|815 次阅读|0 个评论
- 基于意法半导体MCU STM32的底层配置
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2020-1-15 15:00
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本文通过介绍 意法半导体MCU STM32主要的底层配置，通过关键步骤的程序源代码的介绍，阐述实现数据传输的细节以及注意事项。该方法对其他项目或芯片有一定的实现价值和参考价值，且简单可靠，具有普遍性和通用性。 1、STM32底层配置 为了实现STM32单片机与SIM900A模块之间的数据命令的传输，本文以串口为例 ...
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个人分类: MCU|895 次阅读|0 个评论