CompactFlash 支持
外部总线接口集成了连接CompactFlash 设备的电路。
CompactFlash 逻辑被NCS4 和/或NCS5 地址空间上的静态存储控制器（SMC）驱动。编程EBI_CSA 寄存器上的CS4A 和/或CS5A 位到适当的值使能此逻辑。此寄存器的细节，请参考总线矩阵用户接口章节。访问一个外部CompactFlash 设备通过访问保留到NCS4 和/或NCS5 的地址空间（就是说，对NCS4在0x5000 0000和0x5FFF FFFF之间，对NCS5在0x6000 0000和0x6FFF FFFF 之间）完成。
所有的CompactFlash 模式(Attribute Memory, Common Memory, I/O andTrue IDE)是被支持的，但是信号_IOIS16 (I/O 和True IDE 模式) 和 _ATASEL (True IDE 模式)不被处理。
1.1
I/O模式，Common Memory 模式，Attribute Memory 模式和True IDE 模式在NCS4 和/或NCS5 地址空间，当前传输地址区别I/O 模式，Common Memory 模式，Attribute Memory 模式和True IDE 模式。不同模式通过一个如图20-3 所说明的特殊存储映射被访问。传输地址的A[23:21]位被用于选择需要的模式，如表20-5 描述。
图20-3 CompactFlash 存储映射

注意：EBI 的A22 引脚被用于驱动CompactFlash 设备（除了在True IDE 模式）的REG 信号。

表20-5 CompactFlash 模式选项
A[23:21] 模式基本地址
000 Attribute Memory
010 Common Memory
100 I/O 模式
110 True IDE 模式
111 交替True IDE 模式

1.2 CFCE1 和 CFCE2 信号
为了覆盖所有访问类型，SMC 必须交替的置位去驱动8 位数据总线或16 位数据总线。D[7:0]总线上的奇字节访问仅当SMC 被配置用来驱动对应的NCS 引脚（NCS4 和 或NCS5）上的8 位存储器。NCS4 和/或NCS5 地址空间的片选寄存器(对应片选模式中的的DBW 域)必须置位，如表20-6 所示，去使能需要的访问类型。
NBS1 和 NBS0 是SMC 的字节选择信号并当SMC 在对应片选设置为字节选择模式时可用。
CFCE1 和CFCE2 波形与相应的NCSx 波形相同。

表20-6 CFCE1 和 CFCE2 真值表
模式 CFCE2 CFCE1 DBW 备注 SMC访问模式
Attribute Memory NBS1 NBS0 16 位 访问D[7:0]偶字节 字节选择

Common Memory NBS1 NBS0 16 位 访问D[7:0]偶字节 字节选择
访问D[15:8]奇字节

1 0 8 位 访问D[7:0]奇字节 无关紧要
I/O 模式 NBS1 NBS0 16 位 访问D[7:0]偶字节 字节选择
访问D[15:8]奇字节
1 0 8 位 访问D[7:0]奇字节 无关紧要
True IDE 模式
Task file 1 0 8 位 访问D[7:0]偶字节 无关紧要
访问D[7:0]奇字节
数据寄存器 1 0 16 位 访问D[7:0]偶字节 字节选择
访问D[15:8]奇字节
交替True IDE 模式
控制寄存器 0 1 无关 紧要 访问D[7:0]偶字节 无关紧要
交替状态读 访问D[7:0]奇字节

驱动地址 0 1 8 位 无关紧要
True IDE Standby 模 1 1 无关紧要 无关紧要 无关紧要
式或地址空间未指定
到CF

文章来源：http://www.originic.hk/Item/Show.asp?m=1&d=1558