AO4840L详细介绍

一般说明

       AO4840L采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。该双器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO4840不含铅（符合ROHS和Sony 259规格）。 AO4840L是绿色产品订购选项。 AO4840和AO4840L在电气上完全相同。

特征

VDS（V）= 40V ID = 6A（VGS = 10V）

RDS（ON）<31mS2（VGS = 10V）

RDS（ON）<45mS2（VGS = 4.5V）

详情介绍：

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）

制造商标准提前期：16 周

系列：-

包装：剪切带（CT） ,带卷（TR） 

FET类型：2个N沟道（双）

FET功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：40V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：30毫欧@6A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V@250μA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10.8nC@10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：650pF@20V

功率（最大值）：2W

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

安装类型：表面贴装(SMT)

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）

供应商器件封装：8-SOIC