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H 桥驱动电路
特性
? 低待机电流 (小于0.1uA)
? 低导通内阻MOSFET 功率开关管
— 采用MOS 工艺设计功率管
— 800 毫安通道功率管内阻0.54 欧姆
— 200 毫安通道功率管内阻0.48 欧姆
? 内部集成续流二极管
— 无需外接续流二极管
? 超小型封装尺寸
— 采用SOT23-6 封装
— 含引脚外形尺寸2.92mm*2.8mm
? 较小的输入电流
— 集成约10K 对地下拉电阻
— 3V 驱动信号平均350uA 输入电流
? 内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)
? 抗静电等级:3KV (HBM)
概述
该产品采用H 桥电路结构设计,采用高可靠性功率管工艺,特别适合驱动线圈、马达等感
性负载。电路内部集成N 沟道和P 沟道功率MOSFET,工作 电压范围覆盖1.8V 到8V 。
27℃,VCC=5V 条件下最 大持续输出电流达到1A,最大峰值输出电流达到1.5A 。
该单路为功率器件,本身具备一定内阻,电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境
温度 密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路,实时监控芯片内部发热,当芯片内部温
度超过设定值时 (典型值150℃),产生功率管关断信号,关闭负载电 流,避免因异常使
用导致的温度持续升高,进而造 成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度
迟滞电路,确保电路恢复到安全温度后,才允许重新对功率管进行控制。
应用范围
? IR-CUT 驱动
? 电动玩具
? 步进电机驱动
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