H 桥驱动电路

特性                                              

?   低待机电流 (小于0.1uA)              

?   低导通内阻MOSFET 功率开关管   

— 采用MOS 工艺设计功率管     

   — 800 毫安通道功率管内阻0.54 欧姆 

— 200 毫安通道功率管内阻0.48 欧姆

?   内部集成续流二极管                                    

— 无需外接续流二极管

?   超小型封装尺寸

— 采用SOT23-6 封装

— 含引脚外形尺寸2.92mm*2.8mm                      

?   较小的输入电流

— 集成约10K 对地下拉电阻

— 3V 驱动信号平均350uA 输入电流

?   内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)

?   抗静电等级：3KV (HBM)                             

 概述

该产品采用H 桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感

性负载。电路内部集成N 沟道和P 沟道功率MOSFET，工作 电压范围覆盖1.8V  到8V 。

27℃，VCC=5V 条件下最 大持续输出电流达到1A，最大峰值输出电流达到1.5A 。

该单路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境

温度 密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温

度超过设定值时  (典型值150℃)，产生功率管关断信号，关闭负载电  流，避免因异常使

用导致的温度持续升高，进而造 成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度

迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率管进行控制。

应用范围

?   IR-CUT 驱动

?   电动玩具

?   步进电机驱动 

http://www.dhrelec.com/