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晶圆生产工艺流程介绍

热度 1已有 663 次阅读2013-3-26 10:27 | 关键词: 晶圆, 生产, 工艺流程, 介绍

晶圆生产工艺流程介绍
1、 表面清洗
2、 初次氧化
3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。
(1)常压 CVD (Normal Pressure CVD)
(2)低压 CVD (Low Pressure CVD)
(3)热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)
(4)电浆增强  CVD (Plasma Enhanced CVD)
(5)MOCVD (Metal Organic  CVD) & 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy) 
(6)外延生长法 (LPE) 
4、 涂敷光刻胶   
(1)光刻胶的涂敷 
(2)预烘  (pre bake) 
(3)曝光 
(4)显影 
(5)后烘  (post bake) 
(6)腐蚀  (etching) 
(7)光刻胶的去除 
5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除   
6 、离子布植将硼离子  (B+3)  透过 SiO2 膜注入衬底,形成 P 型阱 
7、 去除光刻胶,放高温炉中进行退火处理   
8、 用热磷酸去除氮化硅层,掺杂磷  (P+5)  离子,形成 N 型阱   
9、 退火处理,然后用 HF 去除 SiO2 层   
10、干法氧化法生成一层 SiO2 层,然后 LPCVD 沉积一层氮化硅   
11、利用光刻技术和离子刻蚀技术,保留下栅隔离层上面的氮化硅层   
12、湿法氧化,生长未有氮化硅保护的 SiO2 层,形成 PN 之间的隔离区  
13、热磷酸去除氮化硅,然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ,并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 ,  作为栅极氧化层。 
14、LPCVD  沉积多晶硅层,然后涂敷光阻进行光刻,以及等离子蚀刻技术,栅极结构,并氧化生成 SiO2 保护层。   
15、表面涂敷光阻,去除 P 阱区的光阻,注入砷  (As)  离子,形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法,在 N 阱区,注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。   
16、利用 PECVD  沉积一层无掺杂氧化层,保护元件,并进行退火处理。   
17、沉积掺杂硼磷的氧化层   
18、?镀第一层金属   
(1)  薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同,厚度通常小于 1um 。
(2)  真空蒸发法( Evaporation Deposition )
(3)  溅镀( Sputtering Deposition ) 
19、光刻技术定出 VIA 孔洞,沉积第二层金属,并刻蚀出连线结构。然后,用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。 20、光刻和离子刻蚀,定出 PAD 位置   
21、最后进行退火处理,以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性


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回复 wccd1 2013-4-6 00:00
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