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CS8389E/CS8390E的全差分架构和极高的PSRR有效地提高了CS8389E/CS8390E对RF噪声的抑制能力。无需滤波器的PWM调制结构及内置的BOOST升压模块,尽可能的减少了外 围器件,另外CS8389E/CS8390E内置了过流保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
CS8389E/CS8390E提供了纤小的的ESOP16L封装形式供客户选择,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。
描述
内置BOOST模块R类结构,集成D类AB类两种模式,输出功率
CS8389E: PO at 10% THD+N, VIN = 3.7V,RL = 4 Ω 2X4.8W
CS8390E: PO at 10% THD+N, VIN = 3.7V,RL = 4 Ω 2X6.6W
优异的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力,工作电压范围:2.7V到5.5V,内置20倍的固定增益,无需滤波的Class-D结构RL=4Ω+44uH@80%的效率
高电源抑制比(PSRR):在217Hz下为70dB,启动时间 (100ms),静态电流 (20mA),低关断电流 (<0.1μA),过流保护,短路保护和过热保护,符合Rohs标准的无铅封装。