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nRF24L01P与SI24R1兼容Pin对Pin替换技术支持资料
当然，这颗芯片进入大众的视野是与友商的NRF24L01P芯片兼容通信。从而被打上了国产NRF24L01P的标签，更有甚者居然磨掉芯片原本的SI24R1的LOGO打成NRF24L01P，给很多客户产生了很多不必要的损失。大家定向的理解，国产的东西总是会比国外进口的相差到哪里哪里，如此云云。其实，在很多客户在使用Si24R1的时候，通过一定的控制与设计，是可以发挥Si24R1自己独特的特***的。
不同的芯片设计需要不同的射频布线以及MCU的控制，那么我下面要分享几点自己所知道的一些问题以及解决办法：
1.进入低功耗（关断）模式后，功耗可能还在1mA左右，正常应该在1.5uA左右。
解决办法：由于芯片采用CMOS工艺，当芯片处于关断模式时，芯片的数字输入引脚，CE，CSN，SCK,MOSI,必须为低电平，即关断模式下，和上述四路输入引脚相连的MCU的输出必须为低电平，不能为高阻状态或高电平。否则由于输入端累积电荷，会导致内部电路不能关断，而使得功耗增加。
发现一个新一代nRF24L01P与上一代nRF24L01相比寄存器没有太大的变化，但是有几个关于通信管道和ACK的寄存器的配置还是与上一代不同的。另外，个人理解shockburst和enhanced shockburst的区别就在于enhanced shockburst可以在接收机回复ACK时挂上1到32字节的数据包，这样就实现了所谓的“全双工”通信。然而实际探查这项功能发现它的作用其实有限，因为是ACK附加数据包，因此它的传输可靠性无法由射频芯片的校验重发机制保证，只能在接收机软件上做改进，而这有时还不如让接收发送机依照发送次序轮流进入发送/接收状态来的方便。只适合回传一些实时性要求高，对传输可靠性要求不严格的数据。
MISO和IRQ信号虽然理论上和实际试验都可以达到AVR的0.7VDD的高电平检测电压，但是在实际应用时必须要做3.3V到5V的电平转换，否则极容易被干扰。而且对芯片的初始化也要等到开机后500毫秒在进行，以免因为芯片上电后还未稳定工作而配置不正常，事实也的确证明，芯片从上电到稳定的确存在一个比较长的时间。
但近年来国产芯片的替代品出来后，有理由项目国产芯片在支持产品本身需求的前提下，的却能降低成本。nRF24L01P的国产替代SI24R1也是有一同测试，确实是还可以 。
nRF24L01P与SI24R1最好的对比还是在于距离上面，SI24R1是一颗7dB的射频芯片。所以他在于距离上面会更胜24L01P。距离是在150--200米这样，而且这颗SI24R1的功率还是可以通过寄存器调节。
更为理想化，有兴趣的朋友建议加好友互相交流。可以提供样品给各位朋友测试。
