众所周知，陶瓷基覆铜板有着传统覆铜板材料无法比拟的性能优势，近年来逐渐替代传统覆铜板在新能源汽车、动力机车、航空航天等领域的运用；其中尤以高导热、低膨胀的氮化铝陶瓷基覆铜板最为突出。然而，基板材料表面金属化后才能作为互连器件的电导体和热导体，而以氮化铝陶瓷为代表的陶瓷基覆铜板走向大规模工程化应用恰恰面临这一瓶颈性难题。

      活性金属钎焊（Active Metal Bonding，AMB）覆铜技术，顾名思义，依靠活性金属钎料实现氮化铝与无氧铜的高温冶金结合，以结合强度高、冷热循环可靠性好等优点而备受关注，应用前景极为广阔。但同时也应该看到，AMB工艺的可靠性很大程度上取决于活性钎料成分、钎焊工艺、钎焊层组织结构等诸多关键因素，工艺难度大，而且还要兼顾成本方面的考虑。依据目前的市场调研结果来看，氮化铝AMB覆铜板国内相关研发机构（生产企业）与国外竞争对手存在较大的技术差距。

      斯利通陶瓷电路板瞄准活性金属钎焊覆铜这一前沿技术，以高压大功率IGBT模块为主要应用目标，开展了以氮化铝为代表的AMB陶瓷覆铜板工艺研发工作，基板涵盖了2英寸、4.5英寸等不同尺寸。结果表明我们的AMB工艺简单、成本低，尤其是界面缺陷可以控制在远低于传统AMB覆铜板的水平，无氧铜/氮化铝剥离强度高、冷热循环可靠性好。下一步，斯利通将致力于推动此项技术成果的市场转化工作，真正实现技术优势到产品优势的转变。

      陶瓷覆铜板是高压大功率IGBT模块的重要组成部件，其具有陶瓷的高导热、高电绝缘、高机械强度、低膨胀等特性，又兼具无氧铜的高导电性和优异焊接性能，且能像PCB线路板一样刻蚀出各种图形。已成为新一代半导体（SiC）和新型大功率电力电子器件的首选封装材料。

      由于陶瓷覆铜板在军用功率电子和车辆电子等领域的特殊地位，掌握了核心技术的日本、德国等少数发达国家对我国进行了严格的技术封锁，该技术已列入《中国制造2025》的重大攻关项目。本成果的取得为我国新一代半导体的研究与发展奠定了坚实的基础，具有里程碑的意义。