半导体放电管TSS：

深圳浪拓电子提供各种半导体保护晶闸管过压瞬态抑制装置，专为满足电信和数据网络设备的要求设计。

★半导体放电管的选型要点：

最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。

2. 转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。

3. 半导体放电管处于导通状态时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。

4. 反向击穿电压Vp必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择Vp大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择Vp大于153V的器件。

5. 若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。

我们浪拓电子的电路保护元件几乎覆盖所有市场，我们在满足客户在工业、汽车、消费电子、通信和IT领域的保护需要方面积累了丰富的经验，可以对用户的新要求做出更迅速的响应。