RS-485端口的EMC方案自有套路，了解保护需要遵循的规范，熟悉电路保护器件的特性，做出合规的设计。

GDT主要用作主保护器件，提供低阻抗接地路径以防止过压瞬变。当瞬变电压达到GDT火花放电电压时，GDT将从高阻抗关闭状态切换到电弧模式。在电弧模式下，GDT成为虚拟短路，提供瞬变开路电流接地泄放路径，将瞬变冲击电流从受保护器件上转移开。

浪拓公司的BV-SM712 TVS阵列，它包括两个双向TVS二极管。TVS是基于硅的器件。在正常工作条件下，TVS具有很高的对地阻抗；理想情况下它是开路的。保护方法是将瞬变导致的过压箝位到电压限值。这是通PN结的低阻抗雪崩击穿实现的。当产生大于TVS的击穿电压的瞬变电压时， TVS会将瞬变箝位到小于保护器件的击穿电压的预定水平，只需1 ns，瞬变电流即可从受保护器件转移至地。

重要的是要确保TVS的击穿电压在受保护引脚的正常工作范围之外。BV-SM712的独有特性是具有+13.3 V和–7.5 V的非对称击穿电压，与RS-485芯片的+12 V至–7 V的收发器共模范围相匹配，从而提供最佳保护，同时最大限度地减小对RS-485收发器的过压应力。

在这个方案中，由TVS（BV-SM712）提供次级保护， GDT（LT-B3D090L）则提供主保护，主保护器件和次级保护器件之间的协调以及过流保护是利用过流保护器件PTC（JK250-120u）实现的。