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中国要做存储芯片!国产半导体能否破茧成蝶?

已有 111 次阅读2016-7-12 09:27 |个人分类:行业资讯| 关键词: 半导体, 电子元器件, 电子元件, 芯易网

中国是全球最大的半导体市场,但尴尬的是中国并非最先进的半导体研发和制造国,做出一颗中国“芯”,是国内半导体、电子元器件从业人员最大的心愿。

经过几十年的积累,中国的集成电路产业(IC)已经达到一定的规模,不管是资金还是技术,都有足够的“底气”。所以中国开始下定决心要做国产的存储芯片:并以其作为IDM模式的突破口。这是电子元器件产业发展的趋势,同时也是国人多年的夙愿。

国产存储芯片三大势力集结

吹响“进攻”的号角

国产存储芯片(IC)目前有三大势力在集结:一是前不久刚刚宣布投资240亿美元,并和中科院微电子所合作的武汉新芯,传闻武汉新芯已经掌握了93D NAND样品;还有一个是刚以230亿美元收购美光科技的清华紫光,它打算以收购兼并后再自行研发的方式进军储存芯片;最后一个是福建和合肥这两个地方政府,其中福建政府已经在找到了在泉州投资的晋华集成电路,准备研发32纳米制程的利基型DRAM

三大势力一起做国产储存芯片,实在“百家争鸣,百花齐放”,然而(IC)芯片的研发涉及太多太多的因素、资金、技术、人才等,任何一个细微的问题,都会影响到最终的研发成果。此外,以中国现有的国力,能否应付多条储存器生产线/电子元器件还不得而知。

比如,3D NAND的生产线,每1000片就需要近80万美元,月产能达到20万片的生产线,则需要160亿美元;这里面还不包括三年一次的技术升级投资。想要在半导体制造业收到投资回报,没有十年以上的时间是根本不可能,然而绝大数的电子元器件投资人都缺乏这个耐心。

最理想的方式就是通过强强联手,尽量弥补技术的不足,再加上国家的鼎力支持。近期新芯和紫光的合作,正好印证这一点。但是从他们的合作方案来看,有可能会重现“华亚科”事件(缺乏自主能力的一方会受到钳制)。

国产存储芯片面对的困难不是一点两点

想要做出3D NAND闪存芯片,就必须克服两大难关:技术关和IP及价格战。从技术层面来说,不管是32层还是48层(IC),都必须做出来且性能成本不能有太悬殊的差距;而IP及价格战则是在中国市场上都无法避免的(芯易网注)。

3D NAND技术基本上都是采用一体成形制造法,即使用光罩及刻蚀每一层NAND薄膜,直到第八层(共需要27张光罩),这种方法使用最广,其中最著名的产品就是东芝Bit Cost scalable(BiCS)TFT SONOS

目前全球市场上最先进的3D NAND工艺水平是20-40纳米,除了64层的601701腐蚀,其他电子元器件技术均被国外厂商所掌握,紫光和新芯想要突围,128层是必须突破的瓶颈,只有这样才能缩小和对手间的差距,为中国芯挣得一点希望。

至于IP战、人才流失和技术控制,都是未来中国企业都无法避免的,再加上(IC)价格战,中国的企业在财务方面也将面对沉重的考验。


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