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硕凯电子:位置服务与无线通信终端SIM卡端口防护方案

已有 174 次阅读2016-1-12 14:35 | 关键词: sim卡防护方案, srv05-4

SIM 卡数据线路保护一直是各个公司的产品重点,而且专门为此类端口设计的集ESD(TVS)/EMI/RFI 防护于一个芯片的器件,充分体现了片式器件的无限集成方案。在这里硕凯电子要提醒各位电子工程师的是:在针对不同用途选择器件时,要避免使器件工作在其设计参数极限附近,还应根据被保护回路的特征及可能承受ESD 冲击的特征选用反应速度足够快、敏感度足够高的器件,这对于有效发挥保护器件的作用十分关键,另外集成它功能的器件也应当首先考虑。

 

应用器件:TVS2SRV05-4

SRV05-4是低电容、低漏电流的瞬态抑制二极管( TVS)阵列,SOT-26封装,5V 工作电压 ,保护 条 I/O 高速数据线。以下是SRV05-4的具体参数及静电防护原理。

SRV05-4的参数:

封装:SOT-26 

电压:5V

钳位电压:12.5V

容值:1.2pF 

功率:350W

SRV05-4是低电容、低漏电流的瞬态抑制二极管( TVS)阵列,SOT-26封装,5V 工作电压 ,保护 条 I/O 高速数据线。

SIM卡静电防护使用SRV05-4集成芯片,它由8支控向二极管构成两个“桥式”电路,共用了一支“雪崩二极管”,此种“桥式”电路对“正”的ESD经过导向由雪崩二极管进行箝位,而对“负”的ESD由控向二极管直接箝位,是非常好的ESD防护方案。

它可以保护四条数据线的安全,“桥式”电路的输出端接雪崩二极管,用来进行箝位吸收侵扰的ESD

当有ESD侵扰时,正的浪涌进入”桥式”电路后,经正向的控向二极管导向传递到雪崩二极管,ESD浪涌被雪崩管箝位吸收,ESD浪涌从侵入到箝位吸收,经过了一只控向二极管和一个雪崩二极管串联到“地浪涌从侵入到箝位吸收,经过了一只控向二极管和一个雪崩二极管串联到“地”,控向二极管和雪崩二极管的串联减少了极间电容,称为“补偿”;负的浪涌进入”桥式”电路后,由负向的控向二极管直接箝位导向到地,不经过雪崩二极管,此积成芯片专门用于SIM/UIM卡的ESD防护。

更多位置服务与无线通信终端防护方案设计、整改及电路保护器件选型可直接访问硕凯电子官网(http://www.socay.com)在线咨询。


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