以太网口雷击浪涌防护方案的设计思路:
以太网防护方案的设计需要考虑到雷击浪涌以及陶瓷放电管一级防护之后的残压,因此一般会采用GDT在变压器前端做共模 (八线)浪涌防护;并选择结电容低、反应时间快,兼顾防护静电功能的TVS管吸收差模能量。
百兆以太网防护方案(一)
防护电路图:
使用硕凯器件:
陶瓷气体放电管:
GDT【UN1206-200ASMD】 直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ。
GDT【UN1812-90CSMD】 直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs)2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。
瞬态抑制二极管TVS管:
TVS【SLUV2.8-4】 Vrwm:2.8V,Vb:3.0V,防静电能力(接触/空气):8KV/15KV,结电容(f=1MHz):2.0pF,封装:SO-08。
百兆以太网防护方案(二)
防护电路图:
使用硕凯器件:
陶瓷气体放电管:
GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ。
GDT【UN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs)2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。
瞬态抑制二极管TVS管:
TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm:3.0V,Vb:4.0V,防静电能力(接触/空气):8KV/15KV,结电容(f=1MHz):1.2pF,封装:SOD-323。
千兆以太网防护方案(一)
防护电路图:
使用硕凯器件:
陶瓷气体放电管:
GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ
GDT【UN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs)2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。
瞬态抑制二极管:
TVS【SLUV2.5-8】Vrwm:2.V,Vb:3.0V,防静电能力(接触/空气):30KV/30KV,结电容(f=1MHz):3.0pF,封装:SOP-08,超低漏电流
千兆以太网防护方案(二)
防护电路图:
使用硕凯器件:
陶瓷气体放电管:
GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ
GDT【UN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs)2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。
瞬态抑制二极管:
TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm:3.0V,Vb:4.0V,防静电能力(接触/空气):8KV/15KV,结电容(f=1MHz):1.2pF,封装:SOD-323。
深圳市硕凯电子有限公司(http://www.socay.com)专业生产全系列GDT陶瓷气体放电管(Gas Tube)和瞬态抑制二极管(TVS Diode)、压敏电阻、PTC自恢复保险丝、ESD放电二极管等保护组件的高新技术企业,目前已经为市场中多个行业多个产品提供过电路保护,减少了因雷 击浪涌/过电压/过电流以及静电放电所带来的经济损失。硕凯电子还可以为有需要的客户进行防护方案的设计和整改,如有需要可与本公司销售代表联系,联系热 线:136-0259-3642。