主题：Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介绍
时间：2015-11-04 10:00
简介：传统硅材料在开关电源系统上已经发展了几十年，就目前来讲硅材料的发展空间很有限了，GaN材料在LED以及RF上面被世人了解，不过目前已经发展进入了功率器件的应用领域因为GaN适合高频高压的场合。作为下一代功率器件GaN HEMT已经做好了替代 Si MOSFET的一切准备，其强劲的性能主要表现在超好的技术参数RDSON,QG,QRR等一系列影响到功率器件性能的关键参数。GaN HEMT用在开关电源系统上面可以显著的提高系统的开关效率，在硬开关下面提高开关频率使得系统体积更小，从而更显著的提高其功率密度。Transphorm这家公司专注于GaN的研究已经接近十年，公司成立于美国的加州Goleta，员工超过130人，专利超过250个，而且是目前唯一一个通过JEDEC认证的GaN的企业，FUJITSU目前与Transphorm合作为客户提供GaN HEMT的技术支持及产品。

主题：RFID世界的“高帅富” --- 富士通FRAM RFID 产品介绍与应用
时间：2015-09-18 10:00
简介：本次座谈将介绍富士通FRAM FRID产品，富士通半导体开发并生产内嵌FRAM的RFID产品，覆盖了HF（高频：13.56MHz）和UHF（超高频：860至960MHz）。嵌入式FRAM是其最佳的特性之一；FRAM可以实现更高的速度写入，更低的功耗和更高的读写次数。我们推出的具有大存储尺寸的无源RFID广泛用于工业，医疗，航空等领域。欢迎工业控制,工厂自动化，物联网领域，医疗等领域的工程师朋友参加！