改善便携式设备电池充电和负载开关的 20V单 P 通道 MOSFET（飞兆）
发布时间：2012-8-9 10:58
发布者：eechina
关键词：
PowerTrench , MOSFET
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帮助蜂窝手机及其他便携式应用设计人员改善电池充电和负载开关，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 经扩大了其 P 通道 PowerTrench MOSFET 产品线 。 FDMA910PZ 和 FDME910PZT 具备 MicroFET MOSFET 包装，并按照它们的物理尺寸(2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm) 提供卓越热性能，让它们完全匹配开关和线性模式应用。 在 20V 的额定电压下，设备提供低通路电阻。 为预防静电放电 (ESD) 失败，FDMA910PZ 和 FDME910PZT 装有优化稳压二极管保护设备，这也将使最大额定 IGSS 泄漏从 10μA 降至 1μA。 
获取详情，订购样品，请访问： http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA910PZ.html http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME910PZT.html 特色及优势： FDMA910PZ • 最大 RDS = 20 mΩ，需 VGS = -4.5V，ID = -9.4 A • 最大 RDS = 24 mΩ，需 VGS = -2.5V，ID = -8.6 A • 最大 RDS = 34 mΩ，需 VGS = -1.8V，ID = -7.2 A • 低配置－配备 HBM ESD 保护的 MicroFET 2 X 2 mm 包装最大为 0.8 mm 级别 > 2.8kV 标准 PDME910PZT • 最大 RDS= 24mΩ，需 VGS = -4.5 V，ID = -8A • 最大 RDS= 31mΩ，需 VGS = -2.5 V，ID = -7A • 最大 RDS= 45mΩ，需 VGS = -1.8 V，ID = -6A • 低配置： 配备 HBM ESD 保护的 MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包装最大为 0.55 mm 级别 > 2kV 标准 FDMA910PZ 和 FDME910PZT均不含卤化物和氧化锑，并且为 RoHS 兼容。 两种设备都提供低电压安全操作，并适用于手机和便携式设备。 飞兆半导体是移动科技领导者，可提供大量模拟和电源 IP 系列产品，并可定制以满足特殊设计需求。 飞兆半导体通过将领先的电路技术集成在微型高级包装中，为便携产品用户提供重要的优势，同时能够减小设计的尺寸、成本和功耗。 飞兆半导体的便携 IP 已用于现今大部分手机中。 价格：订购1,000个 FDMA910PZ：每个0.36美元 FDME910PZT：每个0.33美元 供货: 按请求提供样品。交货期: 收到订单后8至12周内 产品的 PDF 格式数据表可从此网址获取： http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMA910PZ.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME910PZT.pdf 飞兆半导体香港办事处，电话：852-2722-8338；深圳办事处，电话：0755-8246-3088；上海办事处，电话：021-6263-7500；北京办事处，电话：010-6408-8088 或访问公司网站：http://www.fairchildsemi.com/cn/。 |
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