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[提问] 求助:关于mos管发热问题

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发表于 2012-6-19 17:49:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
30积分
各位:

最近按照要求画了块板子,但调试时发现mos管烫的厉害,根本无法常时间工作。而且波形幅度值只有8V左右,请问如何解决发热问题,并提高波形幅度。
原理图如下

发表于 2012-6-19 20:23:50 | 显示全部楼层
你这频率忒高了点吧?

看看你MOS管的交流特性再说吧。
发表于 2012-6-21 20:09:13 | 显示全部楼层
你这电路不适合真正做产品吧?考虑对管输出和电感电容串联电路吧。
你是读卡电路,我的建议来自125K电路。
发表于 2012-6-24 11:01:45 | 显示全部楼层
MOS管一班不能达到10M以上的速度吧
发表于 2012-6-27 09:37:09 | 显示全部楼层
1.MOS管开关速度很高,如果不是超高速MOS管不行;
2.MOS管的栅极(G极)驱动电流大,需要NPN和PNP组成所谓的图腾柱驱动方式;
3.电感并的电容是否太小,这个跟开关频率和电感大小有关;
发表于 2012-6-28 20:04:35 | 显示全部楼层
你这样驱动mos管只起到一般开关(频率低)的作用。如果频率在K级以上,你必须加开关量极快的驱动。你这个图主要现在就是关不断mos管.
发表于 2012-6-30 11:06:57 | 显示全部楼层
因为功率MOSFET管栅源间的阻抗很高,工作于开关状态下的漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当幅度的VGS脉冲电压,正方向的VGS脉冲电压虽然达不到损坏器件的程度,但会导致器件的误导通。为此要适当地降低栅极驱动电路的阻抗,在栅源之间并接阻尼电阻。还给感性负载提供续流通道。
发表于 2012-7-4 15:40:33 | 显示全部楼层
你管子是p型的吧(DS反了吧),注意开关速度,驱动加加速电容或者用钳位二极管试试。
发表于 2012-7-5 09:25:54 | 显示全部楼层
栅源之间增加10k电阻
发表于 2015-2-7 12:04:49 | 显示全部楼层
支持一下
发表于 2015-2-16 17:26:04 | 显示全部楼层
驱动频率太高了.
发表于 2015-5-26 16:30:43 | 显示全部楼层
呵呵。
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