LSI将展示19nm和20nm工艺的SSD
发布时间：2012-6-5 14:52
发布者：eechina
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在2012台北国际电脑展上，LSI公司将演示其备受赞誉的SandForce SF-2000闪存存储处理器（FSP），该产品采用Toshiba 19nm以及Intel 20nm NAND 闪存---目前SSD应用中所使用的最先进闪存技术。这些前沿的技术将于本周在台湾台北市举行的2012年台北国际电脑展上进行互动演示。 随着闪存存储器的尺寸不断缩小，引入最先进的错误校验功能已成为当务之急。这是因为独立单元已很难维持一定荷质比，这会降低闪存器件的可靠性、数据完整性和数据保留特性。为了优化19nm和20nm闪存存储的可靠性和耐用性，LSI 的SandForce SF-2000 FSP在512字节扇区内可校正多达55位错误，也成为业界首款可同时支持企业和客户端市场的处理器。LSI SandForce产品包括一个独特的纠错引擎，尽管当今和未来先进NAND闪存技术对闪存错误校验功能的要求不断变化和提高，但是该引擎凭借其独特的设计完全可以应对这些挑战。 为了满足客户对小尺寸闪存器件的可靠性和耐用性要求，LSI SandForce FSP 采用了DuraClass 高级NAND闪存管理技术。 DuraClass管理特性包括： • DuraWrite：优化闪存的程序周期数量，有效地提高闪存耐用性。 • RAISE（独立芯片冗余阵列）：驱动器可靠性得到大幅提高，可实现单驱动解决方案、RAID式的保护及恢复功能。 • 高级耗损平衡和监视： 最佳耗损平衡算法可进一步增强闪存耐用性。 • 反复循环器：智能地执行“垃圾收集”操作，清除无效数据，使闪存耐用性影响最小化。 LSI技术演示将在台北市君悦酒店1037和1038号LSI套房中进行。如需了解关于LSI SandForce FSP的更多信息，敬请访问：www.lsi.com/sandforce. |
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