新技术让24nm闪存寿命延长13倍
发布时间：2012-5-17 15:17
发布者：1770309616
|
NAND闪存工艺技术不断进步，但是可靠性和使用寿命却在倒退。尽管从理论上说依然足够绝大多数人用上好几年的，但这种趋势终归让人很不爽。固态硬盘厂商STEC近日宣布了一项新技术“CellCare”，能让NAND闪存的寿命一下子延长多达13倍。 CellCare是一项硬件和固件综合技术，核心内容包括：每个内核的闪存参数追踪，可带来更少的、受控的磨损；终生闪存管理，可减少磨损、控制性能、改进性能、降低读写延迟；高级错误纠正与数字信号处理，可改进数据可靠性、最大程度减少重新读取。 加入这种技术后，24nm MLC NAND闪存的全盘写入擦除次数(program/erase cycles)可以从现有的3000次猛增到40000次，一下子就增加了13倍还多，而且寿命后期的读写重试可以最高接近100％降低到不足0.011％，擦写速度经过控制后可以基本维持原有水平或者略有减慢。 
STEC工程师还对其进行了一系列JEDEC标准测试，包括擦写耐久性和数据保持压力测试、基于压力测试的集成电路验证、固态硬盘需求和耐久性测试等等。 据透露，CellCare技术将全面进驻STEC PCI-E、ZeuslOPS SAS、MACH16 SATA等多条固态硬盘产品线，预计今年晚些时候投产。至于是否会向其它厂商开放这种技术的授权，目前还不得而知。 
|
网友评论