台积电28纳米Cortex-A9芯片速度高达3.1GHz
发布时间：2012-5-4 09:55
发布者：eechina
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TSMC今（3）日宣布，采用28纳米高效能工艺生产的ARM Cortex-A9双核心处理器测试芯片在常态下的处理速度高达3.1GHz。 TSMC是采用28纳米高效能行动运算工艺（28nm High Performance Mobile Computing, 28HPM）实现此优异的成果，提供高速与低漏电的解决方案。配合各种设计最后验证的要求，采用28纳米高效能行动运算工艺生产的ARM A9处理器适用范围除了处理速度介于1.5GHz与2.0GHz之间的行动运算产品之外，并能支持高达3.1GHz的高效能运算产品。整体而言，28纳米高效能行动运算工艺拥有高效能、低功率及低漏电的优势，可广泛支持网通、平板计算机及消费性行动电子产品的应用。 此次能够完成ARM Cortex-A9处理器的实作与验证展现TSMC不断追求工艺标准所付出的努力，在各项工艺上提供对效能、功率与面积(Performance, Power and Area，PPA)的解决能力，以达到系统整合芯片设计的最佳表现。 TSMC研究发展副总经理侯永清博士表示：“此颗高达3.1GHz的双核心处理器系采用28纳米高效能行动运算工艺生产，在常态下，它的速度比40纳米同等级工艺处理器快上两倍，这个结果具体证明了ARM公司与TSMC能够满足高效能运算的市场需求，配合其他的产品设计，28纳米高效能行动运算工艺亦非常适用于各种强调效能且节能的产品。” 英商ARM公司处理器部门市场营销副总裁Jim Nicholas表示：“TSMC28纳米高效能行动运算工艺能广泛支持各项ARM先进处理器的产品，应用范围从高频率且具效能导向的行动运算产品延伸至要求低功耗的产品。ARM公司、TSMC与设计生态环境伙伴彼此间的合作已提供一个具有延展性的实作平台，让新世代产品在效能与功率管理取舍之间取得更大的灵活度。” 此颗Cortex-A9处理器已开放授权，针对高效能消费型及商用型系统整合芯片，提供优异的效能与功率解决方案。 此测试芯片的完成系结合最先进的工艺、最佳的设计技术、以及经由验证的芯片实作方法，在系统整合芯片上达到优化；这项成果亦证明TSMC开放创新平台架构下设计生态环境的价值，持续推动半导体芯片设计领域、设计生态环境伙伴、以及TSMC技术的不断创新。 |
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