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明佳达，星际金华供求 功率MOSFET晶体管ISC018N08NM6，ISC014N08NM6，GaN 功率晶体管IGC016K10S2，IGT65R025D2
ISC018N08NM6 80V OptiMOS™ 6 N沟道功率MOSFET
产品概述
ISC018N08NM6 是一款采用 PG-TDSON-8 封装的 80V OptiMOS™ 6 N 沟道功率 MOSFET。它非常适合高开关频率的应用，例如电信、服务器和太阳能系统。得益于 OptiMOS™ 6 80V 技术的性能提升，它也可用于电池供电的应用和电池管理系统 (BMS)。
特点
N沟道，标准电平
极低的导通电阻 RDS(on)
优异的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）
极低的反向恢复电荷 (Qrr)
非常适合高频开关和同步整流
175°C 工作温度
高雪崩能量额定值
IGT65R025D2 650V CoolGaN 功率晶体管
产品描述
IGT65R025D2 GaN功率晶体管可提高高频工作效率。作为CoolGaN™ 650 V G5系列的一部分，它符合最高质量标准，可实现高度可靠的设计和卓越的效率。
特性
650 V e-mode 功率晶体管
增强型晶体管常闭开关
超快速开关
无反向恢复费用
能够反向传导
低栅极电荷、低输出电荷
出色的整流耐用性
ESD（HBM/CDM）JEDEC标准
应用
工业、电信、数据中心SMPS、基于半桥拓扑的充电器和适配器（半桥拓扑用于硬开关和软开关，如图腾柱PFC、高频LLC）。
IGC016K10S2 CoolGaN™ 晶体管 100V 常关型 E 模式 GaN 功率晶体管
产品概述
IGC016K10S2 是一款 100V 常关型 e-mode GaN 功率晶体管，采用紧凑的 3 x 5 mm 封装，并集成了肖特基二极管。该集成特性可最大限度地降低反向导通损耗，并实现更高的系统效率。
特点
100 V e-mode 功率晶体管
单片集成肖特基二极管
顶面散热 3x5 mm 封装
高功率能力
无反向恢复电荷
超低栅极和输出电荷
通过 JEDEC 认证
超快开关速度
低反向导通电压
裸芯片设计，散热性能卓越
湿度等级 MSL1
应用领域
数据中心电源解决方案
中间母线转换器 (IBC)
电信基础设施
机器人技术
电机控制
ISC014N08NM6 80V OptiMOS™ 6 N沟道功率MOSFET晶体管
ISC014N08NM6 是一款采用 PG-TSON-8 封装的 OptiMOS™ 6 N 沟道功率 MOSFET 晶体管。该器件非常适合高开关频率应用，包括电信、服务器和太阳能系统。得益于 OptiMOS™ 6 80V 技术的性能提升，它也可用于电池供电应用和电池管理系统 (BMS)。
特点
N沟道，标准电平工作
极低的导通电阻 RDS(on)
优异的栅极电荷与 RDS(on) 乘积（FOM）
极低的反向恢复电荷 (Qrr)
非常适合高频开关和同步整流
175°C 工作温度能力
高雪崩能量额定值
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