第七届800V超充与三代半技术研讨会 高压擎动，芯效突围 时间：2026年6月12日， 地点：深圳 登喜路国际大酒店 主办单位：Big-Bit商务网 协办单位：深圳市连接器行业协会、中国电源学会磁技术专委会， 承办单位：《半导体器件应用》杂志、《国际线缆与链接》杂志、《磁性元件与电源》杂志 会议介绍 INTRODUCTION 随着新能源汽车渗透率持续提升，补能效率与整车高压化成为产业关注的重点。800V高压平台与超充技术正加速落地，同时以SiC、GaN为代表的第三代半导体器件逐步走向规模化应用，推动充电设备、电驱系统与电源架构持续升级。 在此背景下，第八届中国数字电源关键元器件应用创新峰会（华南站）特别设立分会场二：第七届800V超充与三代半技术研讨会，将于2026年6月12日在中国深圳举行。 本次研讨会将围绕800V高压快充系统与第三代半导体技术展开，重点关注SiC、GaN器件在超充桩、电驱系统及高效率电源中的应用进展，并探讨高压架构下的功率器件选型、磁性元件设计、热管理及系统可靠性等关键技术问题。 会议现场将通过主题演讲与技术交流等形式，邀请整车厂、充电设备企业及核心元器件厂商共同分享技术实践与产业趋势，为行业提供交流合作的平台，推动800V超充与第三代半导体技术的应用落地。 会议亮点 HIGHLIGHTS 全天深度干货输出 邀请上游器件与整机企业技术专家，共同探讨800V超充桩、电驱及OBC中SiC/GaN器件的并联均流、开关振荡、热管理与系统可靠性等工程难题。 关键元器件一站选型 组织SiC/GaN模块、驱动IC、高压连接器、液冷枪线等关键器件现场展示，并安排专场供需交流会，促进中下游企业与上游器件厂商的技术对谈及采购合作。 供需精准匹配 会前调研终端企业需求，定向匹配上游供应商资源，针对后续项目开发需求及研发痛点问题，现场进行技术交流，进行产品服务信息匹配，搭建高效交流平台，提升项目落地效率。 议题方向 DIRECTION 800V 高压平台 SiC 车载 OBC 高效率小型化技术 双向 OBC（V2G/V2L）拓扑与并网控制技术 800V 高压平台下 SiC/GaN 宽禁带器件车载 DC-DC 应用优化 全负载区间（轻载 / 满载）高效率拓扑与软开关技术研发 车载 DC-DC 高功率密度集成化设计（平面磁件 / 多合一集成） 车规级 DC-DC EMC 电磁兼容抑制与长期可靠性设计 SiC MOSFET在800V车载 OBC（PFC+LLC)中的驱动设计与损耗优化研究 双向CLLC谐振变换器在车载 V2G AC-DC 中的软开关实现与控制策略 车载高压高频磁件小型化与高功率密度设计 电驱系统磁集成技术与一体化磁件方案 单极OBC拓扑（dab）技术/应用场景 演讲嘉宾 GUEST 特邀 王正仕 浙江大学 副教授 特邀 张千帆 哈尔滨工业大学 教授 特邀 史来锋 东风汽车集团有限公司研发总院 新能源系统开发主任 刘宏鑫 珠海英搏尔电气股份有限公司 电驱CTO | 
发表于 2026-5-20 14:41:31
