LTC4380HMS-4浪涌抑制器，LTC4359HMS8二极管控制器，MOSFET驱动器UCC37322DGNR

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明佳达，星际金华 供应 LTC4380HMS-4浪涌抑制器，LTC4359HMS8二极管控制器，MOSFET驱动器UCC37322DGNR

LTC4380HMS-4 低静态电流浪涌抑制器

产品描述
LTC4380HMS-4 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免受高压瞬变影响。通过钳位外部N沟道MOSFET的栅极电压，在汽车负载突降等过压事件中限制输出电压，从而提供过压保护。固定栅极钳位电压可选配12V及24V/28V系统版本，另提供可调版本适用于最高72V系统。该器件同时具备过流保护功能。

特性
低静态电流：工作电流仅8µA
承受浪涌电压可达MOSFET极限值
宽工作电压范围：4V至72V
过流保护
可选内置31.5V/50V或可调栅极钳位电压
反向输入保护至-60V
可调导通阈值
带MOSFET应力加速功能的可调故障计时器
控制N沟道MOSFET
锁定与重试选项
故障期间低重试占空比
10引脚DFN（3mm×3mm）及MSOP封装
通过AEC-Q100认证，适用于汽车应用

应用领域
汽车/航电/工业浪涌保护
热插拔、带电插拔
电池供电系统高侧开关
汽车负载突降保护

LTC4359HMS8 理想二极管控制器

产品详情
LTC4359HMS8是一款正向高压理想二极管控制器，通过驱动外部N沟道MOSFET替代肖特基二极管。其精确控制MOSFET正向压降，确保即使在轻载条件下也能实现无振荡的平滑电流输出。当电源故障或短路时，快速关断功能可最大限度减少反向电流瞬态。关断模式可将静态电流降至9μA（负载开关应用）或14μA（理想二极管应用）。

特性
替代功率肖特基二极管以降低功耗
宽工作电压范围：4V至80V
输入反向保护至-40V
低关断电流9μA
低工作电流150μA
无振荡平滑切换
可控制单通道或背靠背N沟道MOSFET

应用领域
汽车电池保护
冗余电源
电源保持
电信基础设施
计算机系统/服务器
太阳能系统

UCC37322DGNR 带使能功能的单通道9A高速低侧MOSFET驱动器

产品描述
UCC37322DGNR是采用行业标准引脚排列的高速驱动器，可提供9A峰值驱动电流。该驱动器能驱动最大尺寸的MOSFET，适用于因高dV/dt过渡而需要极端米勒电流的系统。

特性
采用行业标准引脚排列并新增使能功能
通过TrueDrive技术在米勒效应平台区实现±9A高峰值驱动能力
采用独特双极型与CMOS输出级实现高效恒流源输出
输入兼容TTL/CMOS且独立于电源电压
负载10nF时典型上升/下降时间20ns
典型传播延迟：输入下降沿25ns，上升沿35ns
供电电压范围4V至15V
提供热增强型MSOP PowerPAD™封装，热阻系数θjc达4.7°C/W
额定工作温度范围：-40°C至+105°C
8引脚SOIC及PDIP封装采用无铅镀层（CU NIPDAU）

应用领域
开关电源
DC-DC转换器
电机控制器
D类开关放大器
线路驱动器
脉冲变压器驱动器