小封装大IPP，华悦芯双向TVS器件HSESD0541P0-N支持最高30KV的静电放电测试
发布时间：2025-9-15 19:55
发布者：chrisncheng
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随着便携产品的小型化，功能的复杂化，在印制电路板上给保护电路预留的位置越来越小。相反，在多功能及上电的情况下，保护电路需要承受的峰值浪涌电流越来越大。如何实现小封装的前提下，保证较大峰值浪涌电流耐受能力，除了半导体芯片本身的设计，也离不开封装可靠性的提升和封装散热能力的改善。 为了实现小封装，大浪涌电流耐受能力，高封装可靠性需求，华悦芯推出了HSESD0541P0-N产品。该产品采用新型PLP封装技术，在有限的封装面积内实现了放置大版面芯片的可能。通过铜微孔连接接技术，增加芯片和连接线处接触面积，使用湿法铜蚀刻技术，取代传统的打线方案，减少封装引入的阻抗，最大限度利用空间增加散热，保证在芯片小封装里也有很强的表现。同时器件引脚焊盘采用镍金工艺，有效改善DFN0603(0201)器件的焊接可靠性问题。 华悦芯HSESD0541P0-N器件作为双向TVS，其封装为DFN0603（0201），5V最大工作电压，只需要极小的空间，就能支持最大22A的IPP，并且此时钳位电压典型值为9V. 该方案支持最高30KV的静电放电测试，低钳位电压，高保证了更好的浪涌&静电防护效果。器件结电容典型值为30pF，满足DC端口和中低频通讯应用的大部分需求。  作为一家功率器件及EMC解决方案供应商，华悦芯秉承着为客户寻找最合适的解决方案，提出最可靠的物料选择方向，提供最完美的芯片参数和品质。努力探索更优秀的芯片及封装设计，发掘创新，为客户提供更好的选择。 |
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