Vishay推出具有低直流偏压特性和低介质损耗因子（DF）的一类瓷介径向引线高压直插瓷片电容
发布时间：2025-9-10 17:10
发布者：eechina
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这些器件可降低工业和医疗应用中高压发生器的功率损耗 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出新系列一类瓷介径向引线高压直插瓷片电容---HVCC一类瓷介电容器系列，该系列产品具有低介质损耗因子（DF）和低直流偏压的特性，适用于工业和医疗应用。 
Vishay Roederstein HVCC一类瓷介电容器系列在15 kV条件下的电容变化低于25 %，仅为二类瓷介电容器的一半。此外，这些器件在1 kHz 时的介质损耗因子值小于1.0 %，比二类瓷介电容器低0.5%。使得其在行李安检机、医疗和工业X射线、空气净化器和离子发生器以及脉冲激光器等应用的高压发生器电路中的功率损耗更低，且可靠性更高。 HVCC一类瓷介电容器系列的电容值范围为100 pF至1 nF，标准容差为± 10 %，额定工作电压为15 kVDC，工作温度范围为-30 °C至+85 °C。该电容由镀银陶瓷瓷片和镀锡铜包钢连接引脚组成，可选引脚直径有0.65 mm和0.80 mm两个规格。该电容符合RoHS标准，提供直引脚封装，引脚间距有9.5 mm和12.5 mm两个规格，采用符合UL 94 V-0标准的阻燃环氧树脂材料密封封装。 HVCC一类瓷介电容器系列现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。 |
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