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明佳达，星际金华 供应 IGBT晶体管：STGB10NB37LZT4，STGB30M65DF2，STGWA50H65DFB2
STGB10NB37LZT4 10A 410V 内置钳位IGBT晶体管
产品描述
STGB10NB37LZT4 IGBT 采用先进的 PowerMESH™ 工艺，实现了开关性能与低导通状态行为之间的卓越平衡。内置的集电极-栅极齐纳二极管可提供非常精确的活性钳位，而栅极-发射极齐纳二极管则提供静电放电（ESD）保护。
特点
低阈值电压
低导通电压降
低栅极电荷
高电流能力
高电压钳位功能
应用
汽车点火系统
STGB30M65DF2 650V 30A 沟槽栅极场截止型IGBT晶体管
产品描述
STGB30M65DF2 是一款采用先进专有沟槽栅极场截止结构开发的 IGBT。STGB30M65DF2 属于 M 系列 IGBT，该系列在逆变器系统性能与效率之间实现了最佳平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，正向 VCE(sat) 温度系数和紧密的参数分布确保了更安全的并联运行。
特性
最大结温：TJ = 175 °C
最小短路耐受时间：6 μs
VCE(sat) = 1.55 V（典型值）在 IC = 30 A 时
参数分布紧密
更安全的并联运行
正向VCE(sat)温度系数
低热阻
软且快速恢复的反并联二极管
应用
电机控制
UPS
PFC
通用逆变器
STGWA50H65DFB2 沟槽栅极场截止高速HB2 IGBT
产品描述
STGWA50H65DFB2 IGBT 650V HB2 系列代表了先进专有沟槽栅极场截止结构的演进。HB2 系列在低电流值下具有更好的 VCE（饱和）特性，并降低了开关能量，因此其性能在导通方面得到了优化。非常快速的软恢复二极管与 IGBT 反并联地共同封装。其结果是一款专为最大限度地提高各种快速应用的效率而设计的产品。
规格
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：86 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，50A
功率 - 最大值：272 W
开关能量：910µJ（开），580µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：151 nC
25°C 时 Td（开/关）值：28ns/115ns
测试条件：400V，50A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：92 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
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发表于