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明佳达电子，星际金华【现货供应】ADPD4100BCBZR7多模式传感器前端、MT25QU256ABA8E12-1SIT（NOR闪存）、IPB072N15N3G功率 MOSFET 晶体管。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
ADPD4100BCBZR7：光学AFE——多模式传感器前端，WLCSP-33
多模式模拟前端
8 个输入通道，具有多种工作模式以适应多种传感器测量：
可同步采样的双通道处理
12 个可编程时隙，适用于同步传感器测量
灵活的输入多路复用，支持差分和单端传感器测量
8 个发光二极管驱动器，可以同时驱动其中 4 个
灵活的采样速率：0.004 Hz 至 9 kHz（使用内部振荡器）
片内数字滤波
发射和接收信号链的 SNR：100 dB
AC 环境光抑制：60 dB 至 1 kHz
总 LED 峰值驱动电流为 400 mA
总系统功耗：30 µW（混合 LED 和 AFE 功率），75 dB SNR 时连续 PPG 测量，25 Hz ODR，100 nA/mA CTR
支持 SPI 通信
512 字节 FIFO 尺寸
MT25QU256ABA8E12-1SIT：256Mbit，NOR闪存存储器IC，TBGA-24
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：256Mb
存储器组织：32M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：8ms，2.8ms
电压 - 供电：1.7V ~ 2V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-TBGA
供应商器件封装：24-T-PBGA（6x8）
IPB072N15N3G：150V，OptiMOS™ 3 功率 MOSFET 晶体管，TO-263-3
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：93 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5470 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-3-2
封装/外壳：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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