150V降压芯片H6266B 48V60V72V90V100V120V降3.3V5V12VBUCK仪表供电IC 高性能 外围少
发布时间:2025-8-6 16:05
发布者:HHZHOUQIN
H6266B:高压降压领域的高效稳定之选 在高压供电场景中,一款性能可靠、外围简洁的降压芯片往往是电路设计的关键。H6266B 作为内置 150V 耐压 MOS 的高压降压开关控制器,凭借其宽压输入、输出及保护功能,在汽车电子、仪表供电等领域展现出显著优势 高耐压宽输入,应对多样高压环境 H6266B 内置 150V 高压 MOS,支持 20V-130V 的宽输入电压范围,能够应对 48V、60V、72V、90V、100V、120V 等多种常见高压输入,稳定降压至 3.3V、5V、12V 等常用电压。这种出色的电压适应能力,使其在电动车仪表、汽车充电器等电压波动较大的环境中表现稳定,无需额外设计复杂的预处理电路,大大简化了系统架构。 输出与高效转换,保障供电质量 作为一款高性能降压芯片,H6266B 的输出电压精度控制在 ±3.5% 以内,集成输入线路电压补偿和高带宽环路,确保在输入电压和负载变化时,输出电压仍能保持稳定,为仪表等对供电质量要求高的设备提供可靠保障。同时,其转换效率 95%,在轻型负载下自动进入 PWM+PFM 模式,有效降低能量损耗,结合低的待机功耗,进一步提升了系统的能效比。 灵活配置与稳定控制,简化设计流程 H6266B 采用峰值电流模式控制,动态响应快,环路稳定性强,典型开关频率为 130KHz,小开关频率设计为 5KHz,确保了良好的输出动态响应。输出电压可通过调节 VFB 采样电阻灵活设置,低可至 3.3V,满足不同负载的供电需求。内部集成的限流功能,无需额外元件即可实现电流限制,进一步简化了外围电路设计,缩短了研发周期。 多重保护与强化散热,提升系统可靠性 为应对复杂的工业环境,H6266B 配备了多重的保护机制:软启动功能有效减弱热拔插时的浪涌冲击,降低输出电压过冲风险;过流保护(OCP)、过热保护(OTP)和输出短路保护(SCP)实时监控电路状态,在异常情况下迅速响应,保护芯片及负载设备。采用 ESOP-8 封装,底部设计功率散热焊盘并与 VIN 输入端及内置 MOS 漏极连接,显著增强散热能力,确保芯片在高负载下长期稳定工作。 聚焦场景应用,发挥性能优势 H6266B 的典型应用场景集中在高压供电领域: 汽车电子:汽车充电器、车载设备供电,适应车辆电气系统的电压特性; 电动车领域:电动车仪表供电,满足高压电池系统的降压需求。 对于从事高压降压电路设计的工程师而言,H6266B 以其高耐压、宽输入、高精度、强保护的特点,提供了一种简洁高效的解决方案,有助于提升系统可靠性并降低设计难度,是高压降压应用中的不错选择。 ![]() |
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