NAND闪存THGBMTG5D1LBAIL、HMC1501位置传感器、TLE42754G线性低压差稳压器

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（供求芯片）明佳达电子、星际金华——长期供应及回收原装库存器件：
【供应/回收】THGBMTG5D1LBAIL（NAND闪存）、HMC1501位置传感器、TLE42754G线性低压差稳压器。

THGBMTG5D1LBAIL：32Gbit，NAND闪存存储器IC，eMMC_5 接口，BGA-153
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：闪存 - NAND
存储容量：32Gb
存储器组织：4G x 8
存储器接口：eMMC_5
时钟频率：200 MHz
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-25°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：153-WBGA
供应商器件封装：153-BGA（11.5x13）

HMC1501：位置传感器——磁位移传感器，SOP-8
HMC1501 采用一个或两个惠斯通电桥元件，可将硅片上的磁场方向转换为电压输出。
相比于传统霍尔效应设备，HMC1501 传感器性能更佳，精度更高，分辨率更好，并可改变场强。
HMC1501 还具有高灵敏度，以及卓越的抗冲击和振动性能等优势，可使用如AlNiCo和陶瓷等低成本的传统磁体，HMC1501 广泛用于位置传感、旋转速度和角度探测以及非接触式精密位置测量系统等。

TLE42754G：450mA，OPTIREG™ 线性低压差稳压器，PG-TO263-5
输出配置：正
输出类型：固定
稳压器数：1
电压 - 输入（最大值）：42V
电压 - 输出（最小值/固定）：5V
电压降（最大值）：0.5V @ 300mA
电流 - 输出：450mA
电流 - 静态 (Iq)：200 µA
电流 - 供电（最大值）：25 mA
PSRR：60dB（100Hz）
控制特性：复位
保护功能：过流，超温，反极性
工作温度：-40°C ~ 150°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-263-6，D2PAK（5 引线 + 凸片），TO-263BA
供应商器件封装：TO-263-5