LM5117PMHE / STW58N60DM2AG / STM32G0B1CCU6——IC器件（供求）

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【供应，回收】LM5117PMHE同步降压控制器、STW58N60DM2AG功率 MOSFET 晶体管、STM32G0B1CCU6（32位微控制器IC），明佳达电子，星际金华长期供求原装库存器件，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！



LM5117PMHE：5.5V 至 65V，电流模式同步降压控制器，HTSSOP-20
输出类型：晶体管驱动器
功能：降压
输出配置：正
拓扑：降压
输出数：1
输出阶段：1
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：5.5V ~ 65V
频率 - 开关：200kHz，480kHz
控制特性：频率控制，斜坡，软启动
工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：20-PowerTSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：20-HTSSOP


STW58N60DM2AG：600V，50A，MDmesh™ DM2 N通道功率 MOSFET 晶体管，TO-247-3
系列：MDmesh™ DM2
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4100 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：360W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3



STM32G0B1CCU6：64MHz，32位 ARM® Cortex®-M0+ 微控制器IC，UFQFPN-48
核心处理器：ARM® Cortex®-M0+
内核规格：32-位
速度：64MHz
I/O 数：44
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：144K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 17x12b SAR; D/A 2x12b
振荡器类型：外部，内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：48-UFQFPN（7x7）
封装/外壳：48-UFQFN 祼焊盘



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