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深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
【供求原装器件】IXFH60N65X2-4（MOSFET 晶体管）BSZ520N15NS3G、IPW65R050CFD7A功率晶体管。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
IXFH60N65X2-4：650V、60A、N通道 MOSFET 晶体管，TO-247-4
系列：HiPerFET™, Ultra X2
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：108 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：780W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-4
BSZ520N15NS3G：150V，N通道功率 MOSFET 晶体管，PG-TSDSON-8
系列：OptiMOS™
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：890 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：57W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TSDSON-8
封装/外壳：8-PowerTDFN
IPW65R050CFD7A：650V，CoolMOS™ N 沟道汽车级SJ 功率 MOSFET CFD7A 晶体管
系列：CoolMOS™ CFD7A
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 24.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.24mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4975 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：227W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3-41
封装/外壳：TO-247-3
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