格芯豪掷160亿美元加码美国半导体制造与先进封装
发布时间：2025-6-5 10:49
发布者：eechina
|
美国当地6月4日，全球第三大晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）宣布，将在未来五年内向美国纽约州和佛蒙特州工厂投资160亿美元，用于扩建半导体制造产能并深化先进封装与光子学技术研发。这一战略布局标志着美国半导体产业回流政策再获重大进展，格芯亦借此强化其在AI芯片、国防电子及电源管理领域的差异化竞争力。 130亿美元投向晶圆厂扩建，聚焦成熟制程与特种工艺 格芯此次投资的核心为纽约州马耳他镇的Fab 8晶圆厂及佛蒙特州伯灵顿的Fab 9工厂。其中，Fab 8作为格芯技术最先进的14nm/12nm FinFET晶圆厂，将获得超过100亿美元的扩建资金，新增产能预计覆盖AI数据中心芯片、5G通信基带及车规级MCU。格芯CEO蒂姆·布林（Tim Breen）透露，Fab 8已行使土地购买权，在现有厂区旁新增66英亩用地，未来将整合氮化镓（GaN）电源芯片产线，该技术可降低数据中心能耗30%，并提升电动汽车充电效率。 佛蒙特州Fab 9则侧重氮化镓电源管理芯片的研发与量产。格芯指出，其基于GaN的差异化电源解决方案已通过美国国防部认证，可满足军用雷达、高超声速武器等严苛场景需求。目前，Fab 9的GaN芯片良率达95%，较行业平均水平高出15个百分点。 30亿美元押注先进封装与光子学，打造“芯片-光学”集成方案 除晶圆厂扩建外，格芯将投入30亿美元用于研发下一代封装技术及硅光子学平台。其中，纽约州马耳他先进封装和光子中心（APPC）将成为核心载体，该中心初期投资已达5.75亿美元，未来将追加1.86亿美元，聚焦3D异构集成、Chiplet互连及硅光子收发器研发。 格芯强调，其硅光子平台可实现每秒太比特级数据传输，较传统铜互连功耗降低80%，适用于AI集群的芯片间高速通信。此外，APPC还将开发针对自动驾驶的激光雷达封装方案，通过晶圆级光学封装技术，将激光雷达体积缩小40%，成本降低35%。 客户协同与政策支持：苹果、高通、通用汽车背书，政府补贴落地 格芯的扩产计划已获得核心客户支持。苹果表示，其Mac系列芯片未来将增加在Fab 8的代工比例，高通则计划将5G基带芯片订单转移至格芯美国工厂。汽车领域，通用汽车与格芯合作开发的氮化镓车载充电器已进入量产阶段，可支持800V高压平台，充电效率较传统方案提升50%。 政策层面，格芯预计将从《芯片与科学法案》中获得约7.5亿美元直接补贴，纽约州政府亦承诺提供2亿美元基础设施支持。布林指出，美国客户对“本土制造”的需求激增，过去半年要求增加美国产量的订单占比已达40%，较2024年提升25个百分点。 技术路线图：FD-SOI与GaN双轮驱动，填补台积电空白 格芯的战略定位与台积电形成差异化。在先进制程领域，格芯已放弃7nm以下工艺竞争，转而聚焦FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）及GaN等成熟制程。其22FDX工艺可实现0.4V超低电压运行，适用于物联网、边缘AI等场景，较台积电28nm功耗降低40%。 在AI芯片领域，格芯与英伟达合作开发HBM2e封装方案，通过硅中介层（Interposer）技术实现DRAM与GPU的3D堆叠，带宽较传统方案提升3倍。此外，格芯的硅光子平台已与思科、博通等厂商联合测试，未来将应用于数据中心的光互连模块。 市场影响：重构美国半导体供应链，挑战台积电全球地位 格芯的扩产将显著提升美国本土芯片制造能力。据SEMI数据，目前美国在成熟制程芯片（28nm及以上）的全球市占率仅5%，格芯计划通过此次投资，将美国成熟制程产能占比提升至15%，并覆盖70%的国防电子芯片需求。 行业分析师指出，格芯的FD-SOI与GaN技术组合，可能对台积电形成替代效应。尤其在汽车与工业领域，格芯的GaN芯片良率与成本优势，已吸引多家欧洲车企转移订单。同时，格芯与联电的合并传闻虽未证实，但若双方整合，新实体将跻身全球第二大晶圆代工厂，直接挑战台积电的垄断地位。 |
网友评论