16位MCU MSP430FR5724IRGER，FSBB20CH60C智能功率模块，晶体管IXFX230N20T

Mingjiada

【深圳市明佳达电子、星际金华】长期供应及回收原装库存器件：
【供应/回收】IC芯片——MSP430FR5724IRGER（16位微控制器MCU），FSBB20CH60C智能功率模块（IPM），IXFX230N20T（MOSFET 晶体管）。

型号：MSP430FR5724IRGER
封装：VQFN-24
类型：16位微控制器IC
概述：MSP430FR5724IRGER——8MHz，16位 CPUXV2 MSP430™ FRAM 混合信号微控制器IC
规格参数：
核心处理器：MSP430 CPUXV2
内核规格：16 位
速度：8MHz
I/O 数：17
程序存储容量：8KB（8K x 8）
程序存储器类型：FRAM
RAM 大小：1K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 8x10b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-VQFN（4x4）



型号：FSBB20CH60C
封装：DIP-27
类型：智能功率模块（IPM）
概述：FSBB20CH60C——600V，20A，Motion SPM®3系列 智能功率模块（IPM）
产品特性：
使用Al2O3 DBC，实现非常低的热电阻
内置自举二极管，可轻松进行PCB布局
600V-20A三相IGBT逆变桥（包含用于栅极驱动和保护的控制IC）
三个独立负直流链路端子，实现逆变器电流检测应用
单接地电源供电内置HVIC
隔离额定值2500Vrms/min



型号：IXFX230N20T
封装：TO-247-3
类型：MOSFET 晶体管
概述：IXFX230N20T——200V，230A，N通道 MOSFET 晶体管，TO-247-3
规格参数：
系列：HiPerFET™, Trench
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：230A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：378 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：28000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：1670W（Tc）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PLUS247™-3
封装/外壳：TO-247-3