LPDDR4存储器MT53E128M32D2DS-053 IT:A，MOSFET晶体管STW40N95K5，STTH30RQ06GY整流器

xingjijinhua

明佳达，星际金华供应 LPDDR4存储器MT53E128M32D2DS-053 IT:A，MOSFET晶体管STW40N95K5，STTH30RQ06GY整流器



MT53E128M32D2DS-053 IT:A 4Gbit 移动 LPDDR4 内存 IC

产品描述
MT53E128M32D2DS-053 IT:A 是 4Gbit SDRAM - 移动 LPDDR4 存储器 IC，封装为 200-WFBGA (10x14.5)。

MT53E128M32D2DS-053 IT:A 的规格
电压 - 电源：1.1V
工作温度：-40°C ~ 95°C (TC)
安装类型：表面贴装
封装/外壳：200-WFBGA

特性
密度 4Gb
宽度：x32
FBGA 代码 D9ZBK
技术： LPDDR4 LPDDR4

STW40N95K5 950V MDmesh™ K5 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

产品描述
STW40N95K5 是超高压 N 沟道功率 MOSFET 晶体管。它采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。因此，导通电阻大幅降低，栅极电荷超低，适用于要求超高功率密度和高效率的应用。

特点
业界最低的 RDS(on) x 面积
业界最佳性能系数（FoM）
超低栅极电荷
100% 通过雪崩测试
齐纳保护

应用
开关应用

STTH30RQ06GY 600V 超快速恢复整流器

产品描述
STTH30RQ06GY 是汽车涡轮 2 超高速高压整流器。该产品专为需要对 LLC 全桥拓扑结构进行高压次级整流的应用而开发。
STTH30RQ06GY 还适用于开关电源、汽车应用和工业应用，可用作整流、续流和箝位二极管。

特点
高结温能力
超快软恢复特性
低反向电流
热阻低
降低开关和传导损耗
支持 PPAP
D²AK HV 爬电距离（阳极到阴极）= 最小 5.38 mm（带顶部涂层）
VRRM 保证温度范围为 -40 °C 至 175 °C
符合 ECOPACK®2 标准（DO-247、TO-220AC）

应用
输出整流
PFC
不间断电源
空调
充电站