SK海力士将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片12层HBM3E，技术领先优势进一步扩大
发布时间：2025-3-18 14:24
发布者：eechina
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据台媒digitimes今日消息，SK海力士预计将独家供应英伟达新一代Blackwell Ultra架构芯片所需的第五代12层HBM3E（高带宽内存）芯片。这一合作不仅巩固了SK海力士在高端内存市场的领先地位，也预示着其与三星电子、美光科技等竞争对手的差距将进一步拉大。 SK海力士于去年9月全球率先开始量产12层HBM3E芯片，并实现了最大36GB的容量。这款芯片的运行速度可达9.6Gbps，性能卓越，为高性能计算、人工智能等领域提供了强大的支持。特别是在搭载四个HBM的GPU上运行如“Llama 3 70B”这样的大型语言模型时，每秒可读取35次700亿个整体参数，展现了其惊人的数据处理能力。 此次与英伟达的合作，是SK海力士技术实力和市场策略的双重胜利。英伟达作为全球领先的GPU制造商，其Blackwell Ultra架构芯片被誉为“史上最强AI芯片”，拥有2080亿个晶体管，是上一代芯片“Hopper”的两倍多，可以支持多达10万亿个参数的AI模型。而SK海力士的12层HBM3E芯片，正是这款顶级芯片所需的关键内存组件。 值得注意的是，SK海力士在高端内存市场的领先地位并非偶然。去年11月，SK集团会长崔泰源曾透露，英伟达CEO黄仁勋要求SK海力士提前六个月供应被称为HBM4的下一代高带宽内存芯片。这一要求不仅体现了英伟达对SK海力士技术实力的信任，也预示着双方在高端内存领域的合作将更加紧密。 相比之下，三星电子虽然已获得批准向英伟达供应其8层HBM3E芯片，但在高带宽内存技术方面仍然落后于SK海力士和美光科技等竞争对手。而美光科技虽然也推出了12层堆叠的HBM内存产品，但其在市场上的影响力和供应能力尚无法与SK海力士相抗衡。 |
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