SK海力士将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片12层HBM3E,技术领先优势进一步扩大

发布时间:2025-3-18 14:24    发布者:eechina
关键词: SK海力士 , 英伟达 , Blackwell , HBM3E
据台媒digitimes今日消息,SK海力士预计将独家供应英伟达新一代Blackwell Ultra架构芯片所需的第五代12层HBM3E(高带宽内存)芯片。这一合作不仅巩固了SK海力士在高端内存市场的领先地位,也预示着其与三星电子、美光科技等竞争对手的差距将进一步拉大。

SK海力士于去年9月全球率先开始量产12层HBM3E芯片,并实现了最大36GB的容量。这款芯片的运行速度可达9.6Gbps,性能卓越,为高性能计算、人工智能等领域提供了强大的支持。特别是在搭载四个HBM的GPU上运行如“Llama 3 70B”这样的大型语言模型时,每秒可读取35次700亿个整体参数,展现了其惊人的数据处理能力。

此次与英伟达的合作,是SK海力士技术实力和市场策略的双重胜利。英伟达作为全球领先的GPU制造商,其Blackwell Ultra架构芯片被誉为“史上最强AI芯片”,拥有2080亿个晶体管,是上一代芯片“Hopper”的两倍多,可以支持多达10万亿个参数的AI模型。而SK海力士的12层HBM3E芯片,正是这款顶级芯片所需的关键内存组件。

值得注意的是,SK海力士在高端内存市场的领先地位并非偶然。去年11月,SK集团会长崔泰源曾透露,英伟达CEO黄仁勋要求SK海力士提前六个月供应被称为HBM4的下一代高带宽内存芯片。这一要求不仅体现了英伟达对SK海力士技术实力的信任,也预示着双方在高端内存领域的合作将更加紧密。

相比之下,三星电子虽然已获得批准向英伟达供应其8层HBM3E芯片,但在高带宽内存技术方面仍然落后于SK海力士和美光科技等竞争对手。而美光科技虽然也推出了12层堆叠的HBM内存产品,但其在市场上的影响力和供应能力尚无法与SK海力士相抗衡。
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