大联大友尚集团推出基于Diodes产品的140W PD3.1 GaN充电器方案

发布时间:2025-3-18 13:18    发布者:IC电子圈
大联大控股宣布,其旗下友尚推出基于达尔科技(Diodes)AP3306、APR3401和AP43771H控制器的140W PD3.1 GaN充电器方案。


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图示1-大联大友尚基于Diodes产品的140W PD3.1 GaN充电器方案的展示板图
如今,智能设备的高功率快充技术已成为消费者普遍关注的焦点。在此背景下,氮化镓作为一种新兴半导体材料,凭借卓越的能量转换效率、快速响应能力以及低热损耗特性,正逐渐成为快充领域的新宠。与此同时,USB PD3.1协议的发布更是将充电效率提升到一个新的层次,该协议不仅显著提高充电功率,还引入多电压档位,使快充技术更加灵活多变,从而满足各类智能设备的充电需求。鉴于此趋势,大联大友尚基于Diodes AP3306、APR3401和AP43771H控制器推出140W PD3.1 GaN充电器方案,采用获得专利的ACF拓扑,满足DOE VI和COC Tier 2效率要求。并且该方案支持PD3.1功能和AVS 28V,步长为100mV,可降低整体BOM成本。


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图示2-大联大友尚基于Diodes产品的140W PD3.1 GaN充电器方案的场景应用图
本方案由AP3306、APR3401和AP43771H三个主控制器组成。其中,AP3306是一款高度集成的有源箝位反激(ACF)控制器,主要针对离线电源优化设计,可满足超低待机功耗、高功率密度和全面保护的需求。APR3401是次级侧同步整流(SR)控制器,它可用作同步的次级侧MOSFET驱动器DCM操作中的整流,为方案有效降低次级侧整流器功耗并提供高性能。
AP43771H是一种协定解码器,负责通过连接的配备USB Type-C®的充电设备(DUC)匹配相关的充电器容量和请求,并调节充电器的反馈网络,以满足DUC的电压和电流要求。除此之外,方案还采用氮化镓(GaN)FET进一步提升充电效率和热性能。


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图示3-大联大友尚基于Diodes产品的140W PD3.1 GaN充电器方案的方块图
达尔科技(Diodes)是业内先进的半导体制造及供应商,可为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场提供高质量半导体产品。此次大联大友尚基于Diodes产品的140W PD3.1 GaN充电器方案,具有高性价比与高功率密度,可帮助厂商快速完成大功率快充产品设计。
核心技术优势:
AP3306主要特性:
  • 具有回收漏电能量和零电压开关功能的有源钳位反激式拓扑;
  • 高压启动,用于VCCL引脚的嵌入式VCC LDO,可保证宽范围输出电压;
  • 在输出短路情况下保持恒定的低输出电流;
  • 无声杂讯准谐振控制;
  • 启动过程中的软启动,频率折返以实现高平均效率;
  • 具有FOCP的次级绕组短路保护,用于降低EMI的频率抖动X-CAP放电功能;
  • 有用的Pin故障保护:SENSE引脚浮动保护/FB/光耦合器开路/短路保护;
  • 全面的系统保护功能:VOVP/OLP/BNO/SOVP/SSCP。
APR3401主要特点:
  • 同步整流适用于DCM/QR/ACF操作模式;
  • 消除谐振振铃干扰;
  • 使用的外部元件最少。
AP43771H主要特点:
  • 支持USB PD Rev 3.1,用于系统配置的MTP主固件的OTP;
  • 工作电压范围:3.3V至28V用于CV和CC控制的内置稳压器;
  • 可程式设计OVP/UVP/OCP/OTP,支持省电模式;
  • 用于VBUS供电的外部N-MOSFET控制;
  • 支持e-Marker电缆检测W-DFN3030-14封装。
方案规格:
主电源规格:
  • 输入电压:90Vac~ 264Vac;
  • 输入待机功率:<80Mw;
  • 主输出:5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/3A、28V/5A;
  • 效率:DOE VI 和 COC Tier 2;
  • 支持最大输出:140W PD3.1;
  • 保护:OCP、VP、UVP、OLP、OTP、SCP;
  • 尺寸:
  • PCB:84mm×55mm×23mm;
  • Case:88mm×59mm×27mm;
  • 功率密度指数:1W/CC。
本篇新闻主要来源自大大通:
Diodes :完整的超高功率密度140瓦PD3.1 GaN充电器解决方案
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